• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Энергетические зоны

Современные представления о физических процессах в полупроводниковых приборах и, в частности, в p-n переходе базируются на общепринятых моделях межатомной ковалентной связи и энергетических зон в кристалле твердого тела, т. е. на квантово – механических моделях, лежащих в основе известной в физике зонной теории твердого тела. Согласно этой теории, разработанной в 1928 году американским физиком Ф. Блохом и в 1930 году французским физиком Бриллюэном, электроны в атоме кристаллической решетки, играющие основную роль в процессе объединения атомов в кристалл, не могут распределяться хаотически и иметь произвольные значения энергии W. Они распределены по так называемым дискретным разрешенным уровням и в силу принципа Паули (австрийский физик – 1900 – 1958) не скапливаются на каком то одном уровне, а группируются в отдельные зоны – полосы энергий, разделенные зонами запрещенных состояний.

В теории электропроводности полупроводников обычно ограничиваются рассмотрением лишь так называемых валентных электронов, расположенных на внешних (валентных) оболочках атомов, так как только они слабо связаны с ядром, легче вступают во взаимодействие с другими атомами и, отрываясь от них, обусловливают электропроводность тела. В соответствии с этим в простейшем случае в энергетическом спектре твердого тела принято выделять три энергетические зоны: валентную, запрещенную и зону проводимости (рис. 1).


Рис. 1. Зонная модель полупроводника


Электронно-дырочный переход

Электронно-дырочным (или кратко, p-n) переходом называется электрический переход между двумя тесно контактируемыми областями...

читать далее

Составляющие обратного тока насыщения

термогенерационной составляющей в области пространственного заряда, зависящей от смещения, так как ширина...

читать далее

Преимущество туннельных диодов

Важнейшим преимуществом туннельных диодов перед другими полупроводниковыми приборами является малая...

читать далее