• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Энергетические зоны

Современные представления о физических процессах в полупроводниковых приборах и, в частности, в p-n переходе базируются на общепринятых моделях межатомной ковалентной связи и энергетических зон в кристалле твердого тела, т. е. на квантово – механических моделях, лежащих в основе известной в физике зонной теории твердого тела. Согласно этой теории, разработанной в 1928 году американским физиком Ф. Блохом и в 1930 году французским физиком Бриллюэном, электроны в атоме кристаллической решетки, играющие основную роль в процессе объединения атомов в кристалл, не могут распределяться хаотически и иметь произвольные значения энергии W. Они распределены по так называемым дискретным разрешенным уровням и в силу принципа Паули (австрийский физик – 1900 – 1958) не скапливаются на каком то одном уровне, а группируются в отдельные зоны – полосы энергий, разделенные зонами запрещенных состояний.

В теории электропроводности полупроводников обычно ограничиваются рассмотрением лишь так называемых валентных электронов, расположенных на внешних (валентных) оболочках атомов, так как только они слабо связаны с ядром, легче вступают во взаимодействие с другими атомами и, отрываясь от них, обусловливают электропроводность тела. В соответствии с этим в простейшем случае в энергетическом спектре твердого тела принято выделять три энергетические зоны: валентную, запрещенную и зону проводимости (рис. 1).


Рис. 1. Зонная модель полупроводника


При этом в металле электроны свободны и могут легко переходить с уровней заполненной вакантной зоны на незанятые уровни зоны...

читать далее

Диоды Шоттки

Контакт «металл-полупроводник» явился историческим основоположником первого «точечно-контактного» полупроводникового...

читать далее

Pin-диоды

Pin-диоды

13.11.11

Структура pin-диода изображена на рис. 30. В нее входят две сильно легированные области p и n, разделенные областью i с электропроводностью...

читать далее