• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Энергетические зоны

Современные представления о физических процессах в полупроводниковых приборах и, в частности, в p-n переходе базируются на общепринятых моделях межатомной ковалентной связи и энергетических зон в кристалле твердого тела, т. е. на квантово – механических моделях, лежащих в основе известной в физике зонной теории твердого тела. Согласно этой теории, разработанной в 1928 году американским физиком Ф. Блохом и в 1930 году французским физиком Бриллюэном, электроны в атоме кристаллической решетки, играющие основную роль в процессе объединения атомов в кристалл, не могут распределяться хаотически и иметь произвольные значения энергии W. Они распределены по так называемым дискретным разрешенным уровням и в силу принципа Паули (австрийский физик – 1900 – 1958) не скапливаются на каком то одном уровне, а группируются в отдельные зоны – полосы энергий, разделенные зонами запрещенных состояний.

В теории электропроводности полупроводников обычно ограничиваются рассмотрением лишь так называемых валентных электронов, расположенных на внешних (валентных) оболочках атомов, так как только они слабо связаны с ядром, легче вступают во взаимодействие с другими атомами и, отрываясь от них, обусловливают электропроводность тела. В соответствии с этим в простейшем случае в энергетическом спектре твердого тела принято выделять три энергетические зоны: валентную, запрещенную и зону проводимости (рис. 1).


Рис. 1. Зонная модель полупроводника


Образование области пространственного заряда

Тогда из-за существенного различия концентраций электронов и дырок в n- и p-областях неизбежно возникают диффузионные токи электронов...

читать далее

Амплитудно-модулированные сигналы

В этой схеме АМ колебания подводится на вход диодного детектора, например, в радиовещательном приемнике, от резонансного

читать далее

Применение светоизлучающих диодов

В современной классификации излучающих полупроводниковых приборов, основным элементом в которых является светодиод...

читать далее