• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Собственные концентрации носителей заряда

Собственные концентрации носителей заряда
Для количественной оценки электропроводности необходимо знать полное число электронов в зоне проводимости, т. е. их концентрацию. Теоретический анализ собственной электропроводности полупроводников показывает, что при термическом возбуждении в кристалле при постоянной температуре устанавливается статическое равновесие между числом переходов электронов в ЗП (генерацией пар электрон-дырка) и числом обратных переходов электронов в ВЗ (рекомбинацией носителей) [9]. При этом установившаяся равновесная концентрация электронов n в ЗП и дырок p в ВЗ характеризуется известным уравнением действующих масс:

(5)

где n=p=ni – концентрации электронов и дырок в чистом (собственном) полупроводнике; Nc и Nv – соответственно эффективные плотности энергетических уровней в зонах проводимости и валентной, которые примерно равны в германии 5•1019см = 5•1025м-3; в кремнии 2•1019см-3 = 2•1025м-3.

Из соотношения (5) получим выражение для собственной концентрации носителей

(6)

Подставляя значение Nc и Nv в (6), получим уравнения, определяющие собственные концентрации носителей заряда в германии и кремнии:

(7)
(8)

При комнатной температуре .

Таким образом, собственная концентрация носителей, от которой зависит электропроводность, определяется шириной ЗЗ и температурой.

Зависимости электропроводности от температуры

При этом в области комнатных температур, при которых обычно работает полупроводниковый прибор, влияние...

читать далее

Стабилизатор переменного напряжения

Одна из возможных схем стабилизатора переменного напряжения на кремниевых стабилитронах приведена...

читать далее

Фотопреобразовательный режим работы фотодиода

Во этом случае фотодиод подобен действию фоторезистора. В этом (фотодиодном) режиме диод включается с помощью внешнего...

читать далее