• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Собственные концентрации носителей заряда

Собственные концентрации носителей заряда
Для количественной оценки электропроводности необходимо знать полное число электронов в зоне проводимости, т. е. их концентрацию. Теоретический анализ собственной электропроводности полупроводников показывает, что при термическом возбуждении в кристалле при постоянной температуре устанавливается статическое равновесие между числом переходов электронов в ЗП (генерацией пар электрон-дырка) и числом обратных переходов электронов в ВЗ (рекомбинацией носителей) [9]. При этом установившаяся равновесная концентрация электронов n в ЗП и дырок p в ВЗ характеризуется известным уравнением действующих масс:

(5)

где n=p=ni – концентрации электронов и дырок в чистом (собственном) полупроводнике; Nc и Nv – соответственно эффективные плотности энергетических уровней в зонах проводимости и валентной, которые примерно равны в германии 5•1019см = 5•1025м-3; в кремнии 2•1019см-3 = 2•1025м-3.

Из соотношения (5) получим выражение для собственной концентрации носителей

(6)

Подставляя значение Nc и Nv в (6), получим уравнения, определяющие собственные концентрации носителей заряда в германии и кремнии:

(7)
(8)

При комнатной температуре .

Таким образом, собственная концентрация носителей, от которой зависит электропроводность, определяется шириной ЗЗ и температурой.

При отсутствии внешнего электрического поля никаких токов в полупроводнике нет, и он остается электронейтральным, так как все направления...

читать далее

Импульсные диоды

Импульсные и близкие к ним высокочастотные диоды отличаются от выпрямительных прежде всего их быстродействием...

читать далее

Фотоэлектронная эмиссия

Фотоэлектронная эмиссия (внешний фотоэффект) используется в основном в вакуумных фотоэлементах и фотоэлектронных умножителях...

читать далее