• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Собственные концентрации носителей заряда

Собственные концентрации носителей заряда
Для количественной оценки электропроводности необходимо знать полное число электронов в зоне проводимости, т. е. их концентрацию. Теоретический анализ собственной электропроводности полупроводников показывает, что при термическом возбуждении в кристалле при постоянной температуре устанавливается статическое равновесие между числом переходов электронов в ЗП (генерацией пар электрон-дырка) и числом обратных переходов электронов в ВЗ (рекомбинацией носителей) [9]. При этом установившаяся равновесная концентрация электронов n в ЗП и дырок p в ВЗ характеризуется известным уравнением действующих масс:

(5)

где n=p=ni – концентрации электронов и дырок в чистом (собственном) полупроводнике; Nc и Nv – соответственно эффективные плотности энергетических уровней в зонах проводимости и валентной, которые примерно равны в германии 5•1019см = 5•1025м-3; в кремнии 2•1019см-3 = 2•1025м-3.

Из соотношения (5) получим выражение для собственной концентрации носителей

(6)

Подставляя значение Nc и Nv в (6), получим уравнения, определяющие собственные концентрации носителей заряда в германии и кремнии:

(7)
(8)

При комнатной температуре .

Таким образом, собственная концентрация носителей, от которой зависит электропроводность, определяется шириной ЗЗ и температурой.

Современные представления о физических процессах в полупроводниковых приборах и, в частности, в p-n переходе базируются...

читать далее

В инженерной практике часто пользуются простейшей моделью ключевого диода, в котором сопротивлением r в прямом смещении...

читать далее

Основное применение туннельного диода

Правда, вследствие узкого интервала напряжений на этом участке (не более 0,2В) амплитуда генерируемых...

читать далее