• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Полупроводник n-типа с электронной электропроводностью

Полупроводник n-типа с электронной электропроводностью
Внедрение пятивалентного элемента (например, фосфора) в решетку четырехвалентного германия или кремния (рис. 4,а) образует полупроводник n-типа с электронной электропроводностью, так как пятый валентный электрон (1) в ковалентной связи с соседями оказывается лишним и, легко отщепляясь от атома вследствие теплового движения, становится свободным носителем заряда.


Рис. 4. Структура полупроводника с донорной (а) и акцепторной (б) примесями

В соответствии с этим на энергетической диаграмме рис. 3,б вблизи дна ЗП создается донорный уровень, отстоящий от него на величину энергии . При комнатной температуре почти все электроны с этого уровня переходят в ЗП, вследствие чего кривая распределения Ферми-Дирака и уровень Ферми который определяет количество подвижных носителей заряда в полупроводнике смещаются вверх. Величина этого смещения зависит от концентрации примеси и температуры. При обычной концентрации (1 атом примеси на ~107 атомов Ge или Si) располагается ниже примесного уровня, а при повышенной концентрации – выше, и даже может находиться в ЗП. При Т=0К уровень WF также находится выше примесного уровня, который в этих условиях заполняется с вероятностью, равной единице, Fn(W)=1.

Современные представления о физических процессах в полупроводниковых приборах и, в частности, в p-n переходе базируются...

читать далее

В инженерной практике часто пользуются простейшей моделью ключевого диода, в котором сопротивлением r в прямом смещении...

читать далее

Основное применение туннельного диода

Правда, вследствие узкого интервала напряжений на этом участке (не более 0,2В) амплитуда генерируемых...

читать далее


Продажа и ремонт в Сколково и Голицыно компьютеров, принтеров, мониторов. Заправка картриджей.
avjcomp.ru
Холодильники Sharp. Сравнение цен в магазинах
mol777.ru
Не знаешь о чем создать сайт
hydra2sold.com