• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Полупроводник n-типа с электронной электропроводностью

Полупроводник n-типа с электронной электропроводностью
Внедрение пятивалентного элемента (например, фосфора) в решетку четырехвалентного германия или кремния (рис. 4,а) образует полупроводник n-типа с электронной электропроводностью, так как пятый валентный электрон (1) в ковалентной связи с соседями оказывается лишним и, легко отщепляясь от атома вследствие теплового движения, становится свободным носителем заряда.


Рис. 4. Структура полупроводника с донорной (а) и акцепторной (б) примесями

В соответствии с этим на энергетической диаграмме рис. 3,б вблизи дна ЗП создается донорный уровень, отстоящий от него на величину энергии . При комнатной температуре почти все электроны с этого уровня переходят в ЗП, вследствие чего кривая распределения Ферми-Дирака и уровень Ферми который определяет количество подвижных носителей заряда в полупроводнике смещаются вверх. Величина этого смещения зависит от концентрации примеси и температуры. При обычной концентрации (1 атом примеси на ~107 атомов Ge или Si) располагается ниже примесного уровня, а при повышенной концентрации – выше, и даже может находиться в ЗП. При Т=0К уровень WF также находится выше примесного уровня, который в этих условиях заполняется с вероятностью, равной единице, Fn(W)=1.

Электронно-дырочный переход

Электронно-дырочным (или кратко, p-n) переходом называется электрический переход между двумя тесно контактируемыми областями...

читать далее

Составляющие обратного тока насыщения

термогенерационной составляющей в области пространственного заряда, зависящей от смещения, так как ширина...

читать далее

Преимущество туннельных диодов

Важнейшим преимуществом туннельных диодов перед другими полупроводниковыми приборами является малая...

читать далее