• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Полупроводник n-типа с электронной электропроводностью

Полупроводник n-типа с электронной электропроводностью
Внедрение пятивалентного элемента (например, фосфора) в решетку четырехвалентного германия или кремния (рис. 4,а) образует полупроводник n-типа с электронной электропроводностью, так как пятый валентный электрон (1) в ковалентной связи с соседями оказывается лишним и, легко отщепляясь от атома вследствие теплового движения, становится свободным носителем заряда.


Рис. 4. Структура полупроводника с донорной (а) и акцепторной (б) примесями

В соответствии с этим на энергетической диаграмме рис. 3,б вблизи дна ЗП создается донорный уровень, отстоящий от него на величину энергии . При комнатной температуре почти все электроны с этого уровня переходят в ЗП, вследствие чего кривая распределения Ферми-Дирака и уровень Ферми который определяет количество подвижных носителей заряда в полупроводнике смещаются вверх. Величина этого смещения зависит от концентрации примеси и температуры. При обычной концентрации (1 атом примеси на ~107 атомов Ge или Si) располагается ниже примесного уровня, а при повышенной концентрации – выше, и даже может находиться в ЗП. При Т=0К уровень WF также находится выше примесного уровня, который в этих условиях заполняется с вероятностью, равной единице, Fn(W)=1.

Зависимости электропроводности от температуры

При этом в области комнатных температур, при которых обычно работает полупроводниковый прибор, влияние...

читать далее

Стабилизатор переменного напряжения

Одна из возможных схем стабилизатора переменного напряжения на кремниевых стабилитронах приведена...

читать далее

Фотопреобразовательный режим работы фотодиода

Во этом случае фотодиод подобен действию фоторезистора. В этом (фотодиодном) режиме диод включается с помощью внешнего...

читать далее