• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Зависимости электропроводности от температуры

Зависимости электропроводности от температуры
При этом в области комнатных температур, при которых обычно работает полупроводниковый прибор, влияние подвижностей носителей заряда, обусловленное температурой, весьма слабое. Из сравнения кривых рис. 5 видно, что влияние температуры на электропроводность примесного полупроводника проявляется лишь при относительно высоких температурах (более 80 oС), когда начинает играть роль термогенерация электронов и дырок, при которой электропроводность становится собственной [8,9].


Рис. 5. Зависимости электропроводности от температуры германия, легированного донорной примесью (кривая 1) и беспримесного германия (кривая 2)

Кроме германия и кремния полупроводниковыми свойствами обладают селен, арсенид галлия, оксиды, сульфиды, карбиды и другие химические соединения, соответствующие общим формулам AIVBIV (например SiC); AIIIBV (InSb ; GaAs ; GaP); AIIBIV (CdS ; ZnSe); оксид меди Cu2O и т.д. [4].

Образование области пространственного заряда

Тогда из-за существенного различия концентраций электронов и дырок в n- и p-областях неизбежно возникают диффузионные токи электронов...

читать далее

Амплитудно-модулированные сигналы

В этой схеме АМ колебания подводится на вход диодного детектора, например, в радиовещательном приемнике, от резонансного

читать далее

Применение светоизлучающих диодов

В современной классификации излучающих полупроводниковых приборов, основным элементом в которых является светодиод...

читать далее