Предыдущая
При этом в области комнатных температур, при которых обычно работает полупроводниковый прибор, влияние подвижностей носителей заряда, обусловленное температурой, весьма слабое. Из сравнения кривых рис. 5 видно, что влияние температуры на электропроводность примесного полупроводника проявляется лишь при относительно высоких температурах (более 80 oС), когда начинает играть роль термогенерация электронов и дырок, при которой электропроводность становится собственной [8,9].
Рис. 5. Зависимости электропроводности от температуры германия, легированного донорной примесью (кривая 1) и беспримесного германия (кривая 2)
Кроме германия и кремния полупроводниковыми свойствами обладают селен, арсенид галлия, оксиды, сульфиды, карбиды и другие химические соединения, соответствующие общим формулам AIVBIV (например SiC); AIIIBV (InSb ; GaAs ; GaP); AIIBIV (CdS ; ZnSe); оксид меди Cu2O и т.д. [4].
Рис. 5. Зависимости электропроводности от температуры германия, легированного донорной примесью (кривая 1) и беспримесного германия (кривая 2)
Кроме германия и кремния полупроводниковыми свойствами обладают селен, арсенид галлия, оксиды, сульфиды, карбиды и другие химические соединения, соответствующие общим формулам AIVBIV (например SiC); AIIIBV (InSb ; GaAs ; GaP); AIIBIV (CdS ; ZnSe); оксид меди Cu2O и т.д. [4].
