• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


p-n переход и его вольтамперная характеристика

p-n переход и его вольтамперная характеристика
Приведя в тесное соприкосновение два примесных полупроводника n- и p-типов, получим электронно-дырочный, или p-n переход, являющийся основой создания самых разнообразных полупроводниковых приборов (рис. 6).


Рис. 6. Электронно–дырочный (p-n) переход

Обычно p-n переход создается в едином кристалле путем вплавления или диффузии соответствующих примесей или путем его выращивания из расплава полупроводника с регулируемым количеством примесей (сплавной, диффузионный и т. д.). При этом более эффективны несимметричные p-n переходы, в которых одна область, например, p значительно сильнее легирована акцепторной примесью, чем область n-донорной, либо наоборот [2,9,11,13].

В полупроводниковых приборах, простейшим из которых является полупроводниковый диод, используется важнейшее свойство p-n перехода – несимметричность его вольтамперной характеристики: при одной полярности приложенного напряжения через него проходит большой ток (ток в прямом, пропускном направлении), при другой полярности – пренебрежимо малый обратный ток (рис. 7) [10, 11, 12], т. е. имеет место односторонняя (выпрямляющая) электропроводность p-n перехода.


Рис. 7. Полупроводниковый диод (а) и его вольтамперная характеристика (б)


Собственные концентрации носителей заряда

Для количественной оценки электропроводности необходимо знать полное число электронов в зоне проводимости, т. е. их концентрацию...

читать далее

Импульсные диоды

Импульсные и близкие к ним высокочастотные диоды отличаются от выпрямительных прежде всего их быстродействием...

читать далее

Фотоэлектронная эмиссия

Фотоэлектронная эмиссия (внешний фотоэффект) используется в основном в вакуумных фотоэлементах и фотоэлектронных умножителях...

читать далее