• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


p-n переход и его вольтамперная характеристика

p-n переход и его вольтамперная характеристика
Приведя в тесное соприкосновение два примесных полупроводника n- и p-типов, получим электронно-дырочный, или p-n переход, являющийся основой создания самых разнообразных полупроводниковых приборов (рис. 6).


Рис. 6. Электронно–дырочный (p-n) переход

Обычно p-n переход создается в едином кристалле путем вплавления или диффузии соответствующих примесей или путем его выращивания из расплава полупроводника с регулируемым количеством примесей (сплавной, диффузионный и т. д.). При этом более эффективны несимметричные p-n переходы, в которых одна область, например, p значительно сильнее легирована акцепторной примесью, чем область n-донорной, либо наоборот [2,9,11,13].

В полупроводниковых приборах, простейшим из которых является полупроводниковый диод, используется важнейшее свойство p-n перехода – несимметричность его вольтамперной характеристики: при одной полярности приложенного напряжения через него проходит большой ток (ток в прямом, пропускном направлении), при другой полярности – пренебрежимо малый обратный ток (рис. 7) [10, 11, 12], т. е. имеет место односторонняя (выпрямляющая) электропроводность p-n перехода.


Рис. 7. Полупроводниковый диод (а) и его вольтамперная характеристика (б)


Зависимости электропроводности от температуры

При этом в области комнатных температур, при которых обычно работает полупроводниковый прибор, влияние...

читать далее

Стабисторы

Необходимо отметить, что существующие стабилитроны имеют ограничение по величине минимального напряжения стабилизации...

читать далее

Применение фотодиодов

Фотодиоды применяют в различных областях науки и техники. Это обусловлено чувствительностью фотодиодов в видимой...

читать далее