• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Прямое смещение p-n перехода

К p-n переходу приложено внешнее напряжение плюсом к p-области (рис 10). Такое включение называется прямым смещением p-n перехода.


Рис. 10. Прямое включение p-n перехода:
а – схема подключения источника; б – энергетическая диаграмма


Рис. 11. Обратное включение p-n перехода:
а – схема; б – энергетическая диаграмма

В этом случае внешнее поле Е, созданное источником U, направлено навстречу собственному, в результате чего основные носители заряда (дырки в p-области, электроны – в n – области) получают возможность приблизиться близко к контакту, скомпенсировав заряды примесей. Концентрация дырок в n-области и электронов в p-области, для которых эти носители зарядов являются неосновными, резко увеличивается (явление инжекции). Инжектированные носители диффундируют вглубь соответствующих областей, рекомбинируя с основными носителями. В результате этих процессов ширина p-n перехода и область пространственного заряда резко уменьшатся. Следовательно, сопротивление p-n перехода уменьшится и увеличится прямой ток через p-n переход, что соответствует прямой ветви ВАХ (рис.7,а).

Уровень Ферми при прямом смещении оказывается разным в n- и p- областях, поэтому и осуществляется направленное перемещение носителей. Потенциальный барьер, т.е. перепад потенциала в переходе, препятствующий перемещению основных носителей заряда [11], при этом уменьшается и становится равным разности между и прямым смещением U, т.е.

(25)

Прямой ток обусловлен преобладанием диффузионной составляющей тока

(26)

При отсутствии внешнего электрического поля никаких токов в полупроводнике нет, и он остается электронейтральным, так как все направления...

читать далее

Стабилитроны

Это полупроводниковый диод, в котором используется неразрушающийся пробойный участок обратной ветви...

читать далее

Фоторезисторы

Конструктивно он представляет собой тонкую пластинку или пленку из полупроводниковых сернистых или селенистых соединений кадмия...

читать далее