• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Прямое смещение p-n перехода

К p-n переходу приложено внешнее напряжение плюсом к p-области (рис 10). Такое включение называется прямым смещением p-n перехода.


Рис. 10. Прямое включение p-n перехода:
а – схема подключения источника; б – энергетическая диаграмма


Рис. 11. Обратное включение p-n перехода:
а – схема; б – энергетическая диаграмма

В этом случае внешнее поле Е, созданное источником U, направлено навстречу собственному, в результате чего основные носители заряда (дырки в p-области, электроны – в n – области) получают возможность приблизиться близко к контакту, скомпенсировав заряды примесей. Концентрация дырок в n-области и электронов в p-области, для которых эти носители зарядов являются неосновными, резко увеличивается (явление инжекции). Инжектированные носители диффундируют вглубь соответствующих областей, рекомбинируя с основными носителями. В результате этих процессов ширина p-n перехода и область пространственного заряда резко уменьшатся. Следовательно, сопротивление p-n перехода уменьшится и увеличится прямой ток через p-n переход, что соответствует прямой ветви ВАХ (рис.7,а).

Уровень Ферми при прямом смещении оказывается разным в n- и p- областях, поэтому и осуществляется направленное перемещение носителей. Потенциальный барьер, т.е. перепад потенциала в переходе, препятствующий перемещению основных носителей заряда [11], при этом уменьшается и становится равным разности между и прямым смещением U, т.е.

(25)

Прямой ток обусловлен преобладанием диффузионной составляющей тока

(26)

Электропроводность примесных полупроводников

Современная полупроводниковая технология базируется на получении возможно более чистого материала, свойства которого достаточно...

читать далее

Варикапы

Варикапы

13.11.11

Это полупроводниковые диоды с очень малыми токами утечки, в которых используется зависимость емкости от обратного напряжения...

читать далее

Фотодиоды

Это двухэлектродный полупроводниковый диод, в котором в результате внутреннего фотоэффекта в p-n переходе возникает...

читать далее