• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Экстракция носителей

Случай обратного смещения p-n перехода, при котором p-область присоединена к отрицательному, а n-область – к положительному зажиму источника (рис.11).

В этом случае внешнее и собственное поля совпадают. Внешнее напряжение U, сложившись с контактной разностью потенциалов φк , еще более затруднит обмен основными носителями тока, обусловливая их уход из p-n перехода в сторону источника и расширения обедненной носителями области пространственного заряда. Высота потенциального барьера возрастает и становится равной

φ = φк + U (27)

Следовательно, увеличивается сопротивление перехода при достаточно большом обратном смещении (порядка одного вольта) высота барьера не преодолима для основных носителей и диффузионный ток равен нулю. Вследствие ухода из обеих областей основных носителей создаются условия для протекания через p-n переход небольшого обратного тока, т.н. дрейфового тока не основных носителей (несколько микроампер для маломощных приборов). Для этих носителей потенциальный барьер отсутствует, поэтому они будут интенсивно втягиваться через области p-n перехода в направлении внешней цепи: дырки n-области – в направлении «минус» источника через полупроводник p-типа, а электроны p –области в направлении «плюс» источника через полупроводник n-типа, еще более уменьшая свою малую концентрацию в полупроводнике. Это явление уменьшения концентрации неосновных носителей в полупроводнике вследствие ухода их через p-n переход называется экстракцией носителей [9]. Этот ток неосновных носителей получил название обратного тока насыщения.

Iобр = Iдр - Iдиф (28)

Электронно-дырочный переход

Электронно-дырочным (или кратко, p-n) переходом называется электрический переход между двумя тесно контактируемыми областями...

читать далее

Составляющие обратного тока насыщения

термогенерационной составляющей в области пространственного заряда, зависящей от смещения, так как ширина...

читать далее

Преимущество туннельных диодов

Важнейшим преимуществом туннельных диодов перед другими полупроводниковыми приборами является малая...

читать далее