• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Составляющие обратного тока насыщения

Составляющие обратного тока насыщения
Реальный обратный ток насыщения состоит из трех составляющих:

1) тепловой составляющей за счет генерации носителей за областями p-n перехода;

2) термогенерационной составляющей в области пространственного заряда, зависящей от смещения, так как ширина этой области, а, следовательно, и ток термогенерации увеличивается с ростом напряжения. Этот ток у германиевых диодов меньше теплового, а у кремниевых – наоборот;

3) тока утечки, шунтирующего p-n переход, который зависит от характера обработки поверхности и условий эксплуатации и слабо зависит от температуры.

Указанные явления определяют обратную ветвь ВАХ p-n перехода (диода). На практике выражение (22), определяющего вид ВАХ, для комнатных условий удобно записывать в следующей форме [12]:

(29)

Современные представления о физических процессах в полупроводниковых приборах и, в частности, в p-n переходе базируются...

читать далее

В инженерной практике часто пользуются простейшей моделью ключевого диода, в котором сопротивлением r в прямом смещении...

читать далее

Основное применение туннельного диода

Правда, вследствие узкого интервала напряжений на этом участке (не более 0,2В) амплитуда генерируемых...

читать далее