• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Составляющие обратного тока насыщения

Составляющие обратного тока насыщения
Реальный обратный ток насыщения состоит из трех составляющих:

1) тепловой составляющей за счет генерации носителей за областями p-n перехода;

2) термогенерационной составляющей в области пространственного заряда, зависящей от смещения, так как ширина этой области, а, следовательно, и ток термогенерации увеличивается с ростом напряжения. Этот ток у германиевых диодов меньше теплового, а у кремниевых – наоборот;

3) тока утечки, шунтирующего p-n переход, который зависит от характера обработки поверхности и условий эксплуатации и слабо зависит от температуры.

Указанные явления определяют обратную ветвь ВАХ p-n перехода (диода). На практике выражение (22), определяющего вид ВАХ, для комнатных условий удобно записывать в следующей форме [12]:

(29)

Зависимости электропроводности от температуры

При этом в области комнатных температур, при которых обычно работает полупроводниковый прибор, влияние...

читать далее

Стабисторы

Необходимо отметить, что существующие стабилитроны имеют ограничение по величине минимального напряжения стабилизации...

читать далее

Применение фотодиодов

Фотодиоды применяют в различных областях науки и техники. Это обусловлено чувствительностью фотодиодов в видимой...

читать далее