• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Составляющие обратного тока насыщения

Составляющие обратного тока насыщения
Реальный обратный ток насыщения состоит из трех составляющих:

1) тепловой составляющей за счет генерации носителей за областями p-n перехода;

2) термогенерационной составляющей в области пространственного заряда, зависящей от смещения, так как ширина этой области, а, следовательно, и ток термогенерации увеличивается с ростом напряжения. Этот ток у германиевых диодов меньше теплового, а у кремниевых – наоборот;

3) тока утечки, шунтирующего p-n переход, который зависит от характера обработки поверхности и условий эксплуатации и слабо зависит от температуры.

Указанные явления определяют обратную ветвь ВАХ p-n перехода (диода). На практике выражение (22), определяющего вид ВАХ, для комнатных условий удобно записывать в следующей форме [12]:

(29)

Полупроводниковый диод

Полупроводниковым диодом называется полупроводниковый прибор, состоящий из p-n перехода и двух выводов (омических контактов)...

читать далее

Амплитудно-модулированные сигналы

В этой схеме АМ колебания подводится на вход диодного детектора, например, в радиовещательном приемнике, от резонансного

читать далее

Применение светоизлучающих диодов

В современной классификации излучающих полупроводниковых приборов, основным элементом в которых является светодиод...

читать далее