• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Диоды в инженерной практике

В инженерной практике часто пользуются простейшей моделью ключевого диода, в котором сопротивлением r в прямом смещении пренебрегают, а сопротивление R в обратном смещении считают бесконечно большим. Такая модель удобна при больших напряжениях U по сравнению с φk. Этой модели соответствует так называемая идеализированная ВАХ (рис.12,а).

Следует учесть также, что ВАХ кремниевых и германиевых диодов существенно различаются (рис.12,б). Это различие обусловлено тем, что для p-n перехода в германии характерны примерно в 1000 раз большие плотности токов утечки, чем в кремнии. Эти токи, как отмечено ранее, зависят от температуры, и обычно принимается, что они удваиваются при увеличении температуры на каждые 10°С для германиевых и 7°С – для кремниевых p-n переходов.

При малых напряжениях дифференциальное (динамическое) сопротивление диода определяют по наклону касательной в соответствующей точке ВАХ, а для приближенных расчетов пользуются зависимостью [12]:

(30)

Собственные концентрации носителей заряда

Для количественной оценки электропроводности необходимо знать полное число электронов в зоне проводимости, т. е. их концентрацию...

читать далее

Импульсные диоды

Импульсные и близкие к ним высокочастотные диоды отличаются от выпрямительных прежде всего их быстродействием...

читать далее

Фотоэлектронная эмиссия

Фотоэлектронная эмиссия (внешний фотоэффект) используется в основном в вакуумных фотоэлементах и фотоэлектронных умножителях...

читать далее