• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Ударная ионизация атомов электронами

Ударная ионизация атомов электронами
Следует отметить, что при достаточно больших обратных напряжениях Uобр>Uобр.макс в обратной ветви ВАХ наблюдается диэлектрический пробой p-n перехода.


Рис. 12. Идеализированные (а) и реальные (б)
вольтамперные характеристики диодов

Такой пробой вызывается ударной ионизацией атомов электронами, вырванными из ковалентной связи под действием сильного электрического поля (электрический пробой). Появившиеся новые свободные электроны и дырки, разгоняясь полем, создают всевозрастающее число носителей заряда. Возникает лавинообразный процесс увеличения обратного тока, приводящий к пробою p-n перехода. Такой пробой называют обратимым, так как его можно предотвратить с помощью ограничения тока сопротивлением внешней цепи. Кроме того, данный процесс пробоя ускоряется резким возрастанием процесса тепловой генерации неосновных носителей заряда из-за тепловых колебаний кристаллической решетки, что еще более увеличивает обратный ток и повышает температуру кристалла. Процесс так же нарастает лавинообразно. Возникает необратимый тепловой пробой, в результате которого полностью теряется свойство односторонней электропроводности p-n перехода [11].

Собственные концентрации носителей заряда

Для количественной оценки электропроводности необходимо знать полное число электронов в зоне проводимости, т. е. их концентрацию...

читать далее

Импульсные диоды

Импульсные и близкие к ним высокочастотные диоды отличаются от выпрямительных прежде всего их быстродействием...

читать далее

Фотоэлектронная эмиссия

Фотоэлектронная эмиссия (внешний фотоэффект) используется в основном в вакуумных фотоэлементах и фотоэлектронных умножителях...

читать далее