• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Ударная ионизация атомов электронами

Ударная ионизация атомов электронами
Следует отметить, что при достаточно больших обратных напряжениях Uобр>Uобр.макс в обратной ветви ВАХ наблюдается диэлектрический пробой p-n перехода.


Рис. 12. Идеализированные (а) и реальные (б)
вольтамперные характеристики диодов

Такой пробой вызывается ударной ионизацией атомов электронами, вырванными из ковалентной связи под действием сильного электрического поля (электрический пробой). Появившиеся новые свободные электроны и дырки, разгоняясь полем, создают всевозрастающее число носителей заряда. Возникает лавинообразный процесс увеличения обратного тока, приводящий к пробою p-n перехода. Такой пробой называют обратимым, так как его можно предотвратить с помощью ограничения тока сопротивлением внешней цепи. Кроме того, данный процесс пробоя ускоряется резким возрастанием процесса тепловой генерации неосновных носителей заряда из-за тепловых колебаний кристаллической решетки, что еще более увеличивает обратный ток и повышает температуру кристалла. Процесс так же нарастает лавинообразно. Возникает необратимый тепловой пробой, в результате которого полностью теряется свойство односторонней электропроводности p-n перехода [11].

Зависимости электропроводности от температуры

При этом в области комнатных температур, при которых обычно работает полупроводниковый прибор, влияние...

читать далее

Стабисторы

Необходимо отметить, что существующие стабилитроны имеют ограничение по величине минимального напряжения стабилизации...

читать далее

Применение фотодиодов

Фотодиоды применяют в различных областях науки и техники. Это обусловлено чувствительностью фотодиодов в видимой...

читать далее