• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Импульсные диоды

Импульсные диоды
Импульсные и близкие к ним высокочастотные диоды отличаются от выпрямительных прежде всего их быстродействием, зависящим от скорости рассасывания неравновесных носителей заряда в p-n переходе и от паразитных емкостей. Эти величины снижаются с уменьшением размера p-n перехода, поэтому такие диоды выполняются в основном точечными и микроплоскостными со специальным легированием золотом. Типичным их примером является диод КД512А со следующими параметрами: время восстановления τ=1нс, импульсный прямой ток Iимп=200мА, обратное напряжение UR≤15В, емкость диода С≈1пФ, масса 0,3г. Ранее упоминалось также и о быстродействующих импульсных диодах Шоттки. На рис.16. приведена простейшая схема включения импульсного диода и осциллограммы восстановления обратного тока за время τ при переключении диода с прямого смещение на обратный [11].


Рис. 16. Схема включения (а) и осциллограммы входного напряжения (б) и тока (в) импульсного диода


Образование области пространственного заряда

Тогда из-за существенного различия концентраций электронов и дырок в n- и p-областях неизбежно возникают диффузионные токи электронов...

читать далее

Туннельные диоды

Туннельный и обращенный диоды относятся к группе полупроводниковых диодов с чрезвычайно сильным легированием полупроводника...

читать далее

Оптроны

Оптроны

13.11.11

К достоинствам оптронов относятся высокая помехоустойчивость от электрических и магнитных воздействий вследствие электрической...

читать далее