• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Импульсные диоды

Импульсные диоды
Импульсные и близкие к ним высокочастотные диоды отличаются от выпрямительных прежде всего их быстродействием, зависящим от скорости рассасывания неравновесных носителей заряда в p-n переходе и от паразитных емкостей. Эти величины снижаются с уменьшением размера p-n перехода, поэтому такие диоды выполняются в основном точечными и микроплоскостными со специальным легированием золотом. Типичным их примером является диод КД512А со следующими параметрами: время восстановления τ=1нс, импульсный прямой ток Iимп=200мА, обратное напряжение UR≤15В, емкость диода С≈1пФ, масса 0,3г. Ранее упоминалось также и о быстродействующих импульсных диодах Шоттки. На рис.16. приведена простейшая схема включения импульсного диода и осциллограммы восстановления обратного тока за время τ при переключении диода с прямого смещение на обратный [11].


Рис. 16. Схема включения (а) и осциллограммы входного напряжения (б) и тока (в) импульсного диода


Зона проводимости

В верхней, так называемой зоне проводимости (ЗП), подавляющее число электронов фактически оторвано от атомов...

читать далее

Ударная ионизация атомов электронами

Такой пробой вызывается ударной ионизацией атомов электронами, вырванными из ковалентной связи под действием сильного...

читать далее

Pin-диоды

Pin-диоды

13.11.11

Структура pin-диода изображена на рис. 30. В нее входят две сильно легированные области p и n, разделенные областью i с электропроводностью...

читать далее