• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Высокочастотные диоды и диоды Шоттки

Высокочастотные диоды и диоды Шоттки
Высокочастотные (ВЧ) диоды применяются в основном в качестве детекторов ВЧ сигналов, ограничителей напряжения, нелинейных сопротивлений и коммутационных элементов. Они имеют точечную структуру (рис.21), так как эффективность выпрямления ВЧ сигнала (детектирования) существенно возрастает при уменьшении площади выпрямляющего контакта и при снижении времени жизни неосновных носителей заряда [10].


Рис. 21. Точечный высокочастотный диод

Выпускаются как германиевые точечные диоды, например, Д2, Д9-14, характеризующиеся широким спектром выпрямленных токов (3–5мА) и обратных напряжений (10–150В), так и кремниевые, например Д101–106, с параметрами соответственно 10–30мА и 30–100В, и функционирующие в ВЧ устройствах в диапазоне частот до 150МГц.

Следует отметить, что вышерассмотренные плоскостные быстродействующие импульсные диоды, в частности, Д219, Д220, КД503, КД510 и другие, могут успешно конкурировать в ВЧ схемах с точечными диодами. Так как площадь p-n-перехода у точечных диодов мала, то емкость перехода составляет не более 1пФ в диапазоне частот до нескольких сотен мегагерц. Коэффициент выпрямления (детектирования) диодов определяется следующей формулой [8]:

(32)

где Uпр – падение напряжения на диоде при протекании прямого тока Iд ; rобр.д. и rпр.д. – сопротивления диода для постоянного тока при номинальных значениях обратного и прямого напряжений соответственно; C0 – эквивалентная емкость диода, которая для малого сигнала приблизительно равна зарядной емкости p-n перехода; rS – последовательное сопротивление областей полупроводникового кристалла и выводов диода; w – частота сигнала.

Типичные ВАХ точечных диодов и их аппроксимации при определении прямого rобр.д. и rпр.д. сопротивлений диодов изображены на рис. 22.

Из формулы (32) ясно видно, что эффективность выпрямления возврастатет при уменьшении емкости C0, т. е. при использовании точечного p-n перехода. Кроме того, полупроводниковый материал берется низкоомным, чтобы уменьшить rS.

Зона проводимости

В верхней, так называемой зоне проводимости (ЗП), подавляющее число электронов фактически оторвано от атомов...

читать далее

Ударная ионизация атомов электронами

Такой пробой вызывается ударной ионизацией атомов электронами, вырванными из ковалентной связи под действием сильного...

читать далее

Pin-диоды

Pin-диоды

13.11.11

Структура pin-диода изображена на рис. 30. В нее входят две сильно легированные области p и n, разделенные областью i с электропроводностью...

читать далее