• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Основное применение туннельного диода

Основное применение туннельного диода
Основное применение туннельного диода в схемах СВЧ генераторов и усилителей связано с падающим участком его вольтамперной характеристики, что является эквивалентом некоторого отрицательного сопротивления. Например, в схемах генераторов с помощью отрицательного сопротивления туннельного диода (рис. 27) можно компенсировать потери в колебательном контуре и получить в нем незатухающие колебания [11]. Правда, вследствие узкого интервала напряжений на этом участке (не более 0,2В) амплитуда генерируемых колебаний оказывается небольшой. Более того, из-за нелинейности характеристики вблизи точек максимума (пика) и минимума (впадины) форма генерируемых колебаний искажается. Для уменьшения искажений приходится уменьшать рабочий участок характеристики, ограничиваясь его линейной частью. Однако, это приводит к уменьшению отдаваемой мощности, которая практически не превышает нескольких сотен милливатт.

В схеме рис. 27 простейшего СВЧ генератора положение рабочей точки на падающем участке задается с помощью делителя R1, R2. Катушка индуктивности L и собственная емкость диода Cд образуют колебательный контур, в котором выполняются условия самовозбуждения при условии, если величина упомянутого отрицательного сопротивления |-Rд| окажется достаточной для компенсирования потерь в контуре, т. е.

(34)


Рис. 27. Принципиальная (а) и эквивалентная (б) схемы простейшего автогенератора на туннельном диоде

При этом генератор самовозбуждается с частотой колебаний

(35)

где – общее активное сопротивление, учитывающее в эквивалентной схеме рис. 27,б сопротивление делителя и сопротивление потерь контура.

Зона проводимости

В верхней, так называемой зоне проводимости (ЗП), подавляющее число электронов фактически оторвано от атомов...

читать далее

Ударная ионизация атомов электронами

Такой пробой вызывается ударной ионизацией атомов электронами, вырванными из ковалентной связи под действием сильного...

читать далее

Pin-диоды

Pin-диоды

13.11.11

Структура pin-диода изображена на рис. 30. В нее входят две сильно легированные области p и n, разделенные областью i с электропроводностью...

читать далее