• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Обращенный диод

Обращенный диод
Разновидностью туннельного диода является обращенный диод, у которого туннельный эффект имеет место только в обратной ветви ВАХ (рис.28). Это достигается немного меньшей концентрацией примеси по сравнению с обычным туннельным диодом. Для этого степень легирования p-n-перехода снижена ровно на столько, чтобы края энергетических зон совпали при нулевом смещении (как показано на рис. 26,б) т. е. потолок ВЗ p-стороны и дно ЗП n-стороны должны выровняться, но при нулевом смещении [7]. Вследствие этого при подаче прямого смещения ток оказывается очень малым, так как эффект туннелирования не наблюдается. Однако, при обратном смещении возникает значительный туннельный ток, который для различных типов находится в диапазоне 0,01–0,5 мА. Время переключения их составляет 0,5–1 нс. Основное применение обращенных диодов – детекторы малых сигналов и ключевые устройства для импульсных сигналов малой амплитуды. Типичные ВАХ диодов представлены на рис. 29.


Рис. 28. Вольтамперная характеристика обращенного диода


Рис. 29. Вольтамперные характеристики обращенных диодов

Из ВАХ рис.29 видно, что обращенный диод – выпрямитель малых сигналов при обратной полярности выпрямленного напряжения по сравнению с аналогичным напряжением, выпрямленным обычным диодом.

Нижняя валентная зона

В нижней валентной зоне (ВЗ) электроны прочно связаны с атомами упомянутой выше ковалентной связью. В собственном...

читать далее

В инженерной практике часто пользуются простейшей моделью ключевого диода, в котором сопротивлением r в прямом смещении...

читать далее

Основное применение туннельного диода

Правда, вследствие узкого интервала напряжений на этом участке (не более 0,2В) амплитуда генерируемых...

читать далее