• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Обращенный диод

Обращенный диод
Разновидностью туннельного диода является обращенный диод, у которого туннельный эффект имеет место только в обратной ветви ВАХ (рис.28). Это достигается немного меньшей концентрацией примеси по сравнению с обычным туннельным диодом. Для этого степень легирования p-n-перехода снижена ровно на столько, чтобы края энергетических зон совпали при нулевом смещении (как показано на рис. 26,б) т. е. потолок ВЗ p-стороны и дно ЗП n-стороны должны выровняться, но при нулевом смещении [7]. Вследствие этого при подаче прямого смещения ток оказывается очень малым, так как эффект туннелирования не наблюдается. Однако, при обратном смещении возникает значительный туннельный ток, который для различных типов находится в диапазоне 0,01–0,5 мА. Время переключения их составляет 0,5–1 нс. Основное применение обращенных диодов – детекторы малых сигналов и ключевые устройства для импульсных сигналов малой амплитуды. Типичные ВАХ диодов представлены на рис. 29.


Рис. 28. Вольтамперная характеристика обращенного диода


Рис. 29. Вольтамперные характеристики обращенных диодов

Из ВАХ рис.29 видно, что обращенный диод – выпрямитель малых сигналов при обратной полярности выпрямленного напряжения по сравнению с аналогичным напряжением, выпрямленным обычным диодом.

Современные представления о физических процессах в полупроводниковых приборах и, в частности, в p-n переходе базируются...

читать далее

Составляющие обратного тока насыщения

термогенерационной составляющей в области пространственного заряда, зависящей от смещения, так как ширина...

читать далее

Преимущество туннельных диодов

Важнейшим преимуществом туннельных диодов перед другими полупроводниковыми приборами является малая...

читать далее