• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Обращенный диод

Обращенный диод
Разновидностью туннельного диода является обращенный диод, у которого туннельный эффект имеет место только в обратной ветви ВАХ (рис.28). Это достигается немного меньшей концентрацией примеси по сравнению с обычным туннельным диодом. Для этого степень легирования p-n-перехода снижена ровно на столько, чтобы края энергетических зон совпали при нулевом смещении (как показано на рис. 26,б) т. е. потолок ВЗ p-стороны и дно ЗП n-стороны должны выровняться, но при нулевом смещении [7]. Вследствие этого при подаче прямого смещения ток оказывается очень малым, так как эффект туннелирования не наблюдается. Однако, при обратном смещении возникает значительный туннельный ток, который для различных типов находится в диапазоне 0,01–0,5 мА. Время переключения их составляет 0,5–1 нс. Основное применение обращенных диодов – детекторы малых сигналов и ключевые устройства для импульсных сигналов малой амплитуды. Типичные ВАХ диодов представлены на рис. 29.


Рис. 28. Вольтамперная характеристика обращенного диода


Рис. 29. Вольтамперные характеристики обращенных диодов

Из ВАХ рис.29 видно, что обращенный диод – выпрямитель малых сигналов при обратной полярности выпрямленного напряжения по сравнению с аналогичным напряжением, выпрямленным обычным диодом.

Электронно-дырочный переход

Электронно-дырочным (или кратко, p-n) переходом называется электрический переход между двумя тесно контактируемыми областями...

читать далее

Случай обратного смещения p-n перехода, при котором p-область присоединена к отрицательному, а n-область – к положительному зажиму...

читать далее

Туннельный эффект

При отсутствии внешнего напряжения вопреки законам классической механики существует возможность перехода электронов проводимости

читать далее