• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Фотоэффект

Фотоэффект
В настоящее время на основе внутреннего фотоэффекта разработано большое количество полупроводниковых фотоприборов: фоторезисторы, фотодиоды, фототранзисторы, светодиоды, фототиристоры, оптроны, фотоемкости, фотоваристоры и т. д.
Внешний фотоэффект также широко используется в других фотоэлектронных приборах, относящихся к группе фотоэмиссионных. Этот эффект заключается в том, что энергия фотона Wф расходуется на преодоление работы выхода Aвых из вещества и приобретение электроном кинетической энергии и, согласно упомянутой теории Эйнштейна, определяется следующей формулой:

(38)

где Aвых=eU (эВ) – работа выхода электронов из материала вещества;
– заряд электрона;
– масса электрона;
– скорость электрона, вылетевшего за пределы поверхности вещества;
– разность потенциалов внешнего источника ускоряющего поля (потенциал выхода), В.

Полагая v=0 , находим упомянутую «красную границу», зависящую от работы выхода электрона:

(39)

где λф выражена в нм, а Авых - в эВ.

Современные представления о физических процессах в полупроводниковых приборах и, в частности, в p-n переходе базируются...

читать далее

Составляющие обратного тока насыщения

термогенерационной составляющей в области пространственного заряда, зависящей от смещения, так как ширина...

читать далее

Преимущество туннельных диодов

Важнейшим преимуществом туннельных диодов перед другими полупроводниковыми приборами является малая...

читать далее