Предыдущая
В настоящее время на основе внутреннего фотоэффекта разработано большое количество полупроводниковых фотоприборов: фоторезисторы, фотодиоды, фототранзисторы, светодиоды, фототиристоры, оптроны, фотоемкости, фотоваристоры и т. д.
Внешний фотоэффект также широко используется в других фотоэлектронных приборах, относящихся к группе фотоэмиссионных. Этот эффект заключается в том, что энергия фотона Wф расходуется на преодоление работы выхода Aвых из вещества и приобретение электроном кинетической энергии и, согласно упомянутой теории Эйнштейна, определяется следующей формулой:
(38)
где Aвых=eU (эВ) – работа выхода электронов из материала вещества;
– заряд электрона;
– масса электрона;
– скорость электрона, вылетевшего за пределы поверхности вещества;
– разность потенциалов внешнего источника ускоряющего поля (потенциал выхода), В.
Полагая v=0 , находим упомянутую «красную границу», зависящую от работы выхода электрона:
(39)
где λф выражена в нм, а Авых - в эВ.
Внешний фотоэффект также широко используется в других фотоэлектронных приборах, относящихся к группе фотоэмиссионных. Этот эффект заключается в том, что энергия фотона Wф расходуется на преодоление работы выхода Aвых из вещества и приобретение электроном кинетической энергии и, согласно упомянутой теории Эйнштейна, определяется следующей формулой:
(38)где Aвых=eU (эВ) – работа выхода электронов из материала вещества;
– заряд электрона; – масса электрона; – скорость электрона, вылетевшего за пределы поверхности вещества; – разность потенциалов внешнего источника ускоряющего поля (потенциал выхода), В.Полагая v=0 , находим упомянутую «красную границу», зависящую от работы выхода электрона:
(39)где λф выражена в нм, а Авых - в эВ.
