Предыдущая
Фоторезистор – это двухэлектродный полупроводниковый фотоэлектронный прибор, в котором в результате внутреннего фотоэффекта под действием светового потока возрастает электропроводность.
Конструктивно он представляет собой тонкую пластинку или пленку из полупроводниковых сернистых или селенистых соединений кадмия, висмута или свинца 1 с двумя токопроводящими контактами 2, и укрепленную на несущей изоляционной подложке 3 (рис. 34,а). Для защиты от влаги поверхность полупроводника покрывают прозрачным лаком, а саму пластинку помещают в пластмассовый корпус с окном для проникновения света.
Фоторезистор включают в цепь источника ЭДС любой полярности
(рис. 35). При отсутствии освещённости фоторезистор имеет максимальное (темновое) сопротивление Rm и по цепи протекает малый ток
(40)
Рис. 34. Общий вид и графический символ фоторезистора (а) и его характеристики: световая (б), спектральная (в) и вольтамперная (г)
Рис. 35. Схема включения фоторезистора
При освещении его сопротивление уменьшается до величины R, а ток в цепи имеет значение
(41)
Результирующий фототок в нагрузке представляет собой разность
(42)
Интегральная чувствительность фоторезистора определяется формулой
(43)
где Ф – световой поток, лм.
Кратность изменения сопротивлений
(44)
является одним из важных параметров фоторезистора.
Типовые характеристики современных фоторезисторов приведены на рис. 34,б-г.
При освещении в зависимости от светового потока уменьшение сопротивления достигается в 500–1000 раз. Быстродействие их ограничивается частотами от 10Гц до 10кГц. Благодаря небольшим размерам, высокой чувствительности, хорошему согласованию спектральной характеристики со спектром излучения ламп накаливания фоторезисторы удобны в импульсных оптических преобразователях, устройствах считывания. Основное применение фоторезисторов – в качестве датчиков освещённости в измерительных и информационных устройствах автоматики [12].
Конструктивно он представляет собой тонкую пластинку или пленку из полупроводниковых сернистых или селенистых соединений кадмия, висмута или свинца 1 с двумя токопроводящими контактами 2, и укрепленную на несущей изоляционной подложке 3 (рис. 34,а). Для защиты от влаги поверхность полупроводника покрывают прозрачным лаком, а саму пластинку помещают в пластмассовый корпус с окном для проникновения света.
Фоторезистор включают в цепь источника ЭДС любой полярности
(рис. 35). При отсутствии освещённости фоторезистор имеет максимальное (темновое) сопротивление Rm и по цепи протекает малый ток
(40)Рис. 34. Общий вид и графический символ фоторезистора (а) и его характеристики: световая (б), спектральная (в) и вольтамперная (г)
Рис. 35. Схема включения фоторезистора
При освещении его сопротивление уменьшается до величины R, а ток в цепи имеет значение
(41)Результирующий фототок в нагрузке представляет собой разность
(42)Интегральная чувствительность фоторезистора определяется формулой
(43)где Ф – световой поток, лм.
Кратность изменения сопротивлений
(44)является одним из важных параметров фоторезистора.
Типовые характеристики современных фоторезисторов приведены на рис. 34,б-г.
При освещении в зависимости от светового потока уменьшение сопротивления достигается в 500–1000 раз. Быстродействие их ограничивается частотами от 10Гц до 10кГц. Благодаря небольшим размерам, высокой чувствительности, хорошему согласованию спектральной характеристики со спектром излучения ламп накаливания фоторезисторы удобны в импульсных оптических преобразователях, устройствах считывания. Основное применение фоторезисторов – в качестве датчиков освещённости в измерительных и информационных устройствах автоматики [12].
