• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Фоторезисторы

Фоторезисторы
Фоторезистор – это двухэлектродный полупроводниковый фотоэлектронный прибор, в котором в результате внутреннего фотоэффекта под действием светового потока возрастает электропроводность.

Конструктивно он представляет собой тонкую пластинку или пленку из полупроводниковых сернистых или селенистых соединений кадмия, висмута или свинца 1 с двумя токопроводящими контактами 2, и укрепленную на несущей изоляционной подложке 3 (рис. 34,а). Для защиты от влаги поверхность полупроводника покрывают прозрачным лаком, а саму пластинку помещают в пластмассовый корпус с окном для проникновения света.
Фоторезистор включают в цепь источника ЭДС любой полярности
(рис. 35). При отсутствии освещённости фоторезистор имеет максимальное (темновое) сопротивление Rm и по цепи протекает малый ток

(40)


Рис. 34. Общий вид и графический символ фоторезистора (а) и его характеристики: световая (б), спектральная (в) и вольтамперная (г)


Рис. 35. Схема включения фоторезистора

При освещении его сопротивление уменьшается до величины R, а ток в цепи имеет значение

(41)

Результирующий фототок в нагрузке представляет собой разность

(42)

Интегральная чувствительность фоторезистора определяется формулой

(43)

где Ф – световой поток, лм.

Кратность изменения сопротивлений

(44)

является одним из важных параметров фоторезистора.
Типовые характеристики современных фоторезисторов приведены на рис. 34,б-г.

При освещении в зависимости от светового потока уменьшение сопротивления достигается в 500–1000 раз. Быстродействие их ограничивается частотами от 10Гц до 10кГц. Благодаря небольшим размерам, высокой чувствительности, хорошему согласованию спектральной характеристики со спектром излучения ламп накаливания фоторезисторы удобны в импульсных оптических преобразователях, устройствах считывания. Основное применение фоторезисторов – в качестве датчиков освещённости в измерительных и информационных устройствах автоматики [12].

Зона проводимости

В верхней, так называемой зоне проводимости (ЗП), подавляющее число электронов фактически оторвано от атомов...

читать далее

Ударная ионизация атомов электронами

Такой пробой вызывается ударной ионизацией атомов электронами, вырванными из ковалентной связи под действием сильного...

читать далее

Обращенный диод

Разновидностью туннельного диода является обращенный диод, у которого туннельный эффект имеет место только в обратной...

читать далее