• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Фотогенераторный режим работы фотодиода

В этом случае фотодиод используется как полупроводниковый фотоэлемент, генерирующий под действием света электрическую энергию (фото-ЭДС) – рис. 37,а.


Рис. 37. Схема включения фотодиода в вентильном (а) и фотодиодном (б) режиме

В этом случае в отсутствие освещения и внешнего источника питания, как и в любом полупроводниковом диоде, в области p-n перехода возникает контактная разность потенциалов (к.р.п.), т. е. потенциальный барьер. При освещении фотоны, проходя в толщу полупроводника, сообщают части валентных электронов энергию, достаточную для их перехода в зону проводимости. Под действием к.р.п. существенно увеличивается концентрация соответствующих зарядов p и n областей, высота потенциального барьера сужается, возникает фото-ЭДС и через нагрузку Rn течёт ток, определяемый выражением



где U – напряжение на зажимах фотодиода, В; Кл – заряд электрона (в показателе степени экспоненциального члена). Этот режим соответствует ВАХ в квадранте IV (рис. 38).


Рис. 38. Вольтамперные характеристики фотодиода при различных значениях светового потока

При этом пересечение кривых с осью U соответствует режиму холостого хода, а с осью I – режиму короткого замыкания выводов фотодиода; кривая, проходящая через начало координат, соответствует отсутствию освещения и называется темновой ВАХ, она ничем не отличается от вольтамперной характеристики обычного полупроводникового диода. Максимальное значение фото-ЭДС достигается равным к.р.п. и находится в пределах 0.5-0.6 В у селеновых и кремниевых фотодиодов и порядка 0.87В – у фотодиодов из арсенида галлия [20].

Образование области пространственного заряда

Тогда из-за существенного различия концентраций электронов и дырок в n- и p-областях неизбежно возникают диффузионные токи электронов...

читать далее

Амплитудно-модулированные сигналы

В этой схеме АМ колебания подводится на вход диодного детектора, например, в радиовещательном приемнике, от резонансного

читать далее

Оптроны

Оптроны

13.11.11

К достоинствам оптронов относятся высокая помехоустойчивость от электрических и магнитных воздействий вследствие электрической...

читать далее