• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Применение светоизлучающих диодов

Применение светоизлучающих диодов
В современной классификации излучающих полупроводниковых приборов, основным элементом в которых является светодиод, различают полупроводниковые генераторы излучения (для использования в волоконно-оптических линиях передачи информации, в беспроводных линиях связи в пределах прямой видимости, в составе оптоэлектронных пар для преобразования электрического сигнала в оптический, а также для накачки твердотельных лазеров) и полупроводниковые индикаторы – для визуального восприятия информации в РЭА. Широкое применение светодиоды находят в точечных и знаковых сегментных индикаторах в виде матриц и буквенно-цифровых дисплеях, в частности, в виде бегущей строки.

Светодиоды обозначают буквами АЛ, АЛС, ИЛ, КЛ в сочетании с цифрами, например АЛ305А – знаковый светодиод, красного свечения, с яркостью свечения 350 кд/м2. Конструкция и основные характеристики светодиода показаны на рис. 42 и 43.


Рис. 42. Устройство светодиода:
1 – линза; 2 – металлический баллон;
3 – полупроводниковый кристалл с p-n переходом; 4 – изолирующее основание;
5 – выводы


Рис. 43. Характеристики светодиода:
а – вольтамперная; б – яркостная

К особой группе полупроводниковых генераторов излучения следует отнести полупроводниковые лазеры, в которых излучающие p-n переходы размещаются между высококачественными отражателями, образующими оптические резонаторы, благодаря чему излучение становится монохроматическим и когерентным. Эти приборы являются перспективными для передачи информации по оптическим линиям связи вместо проводов [12].

При этом в металле электроны свободны и могут легко переходить с уровней заполненной вакантной зоны на незанятые уровни зоны...

читать далее

Диоды Шоттки

Контакт «металл-полупроводник» явился историческим основоположником первого «точечно-контактного» полупроводникового...

читать далее

Pin-диоды

Pin-диоды

13.11.11

Структура pin-диода изображена на рис. 30. В нее входят две сильно легированные области p и n, разделенные областью i с электропроводностью...

читать далее