• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Оптроны с прямой внутренней оптической связью

Оптроны с прямой внутренней оптической связью
Из нескольких разновидностей наиболее часто применяются оптроны с прямой внутренней оптической связью, осуществляющие преобразования вида – электрический сигнал – оптический сигнал – электрический сигнал (рис.44,а). Его передаточная характеристика, определяемая зависимостью выходного параметра фотоприемника от тока или напряжения источника излучения, описывается уравнением



где Iвых – выходной ток оптрона;
Iвх1, Iвх2, Iвх3 – значения токов на различных входах оптрона.

Передаточные характеристики таких оптронов могут иметь различный вид в зависимости от используемых элементов. Если источник света, оптическая среда и фотоприемник имеют линейные передаточные характеристики, то характеристика оптрона также будет линейной (рис.44,б). Если в качестве элемента ИИ используются газоразрядные лампы либо светодиоды с S-образной характеристикой, то оптрон будет иметь ключевую характеристики (рис.44,в). В зависимости от типа фотоприемника различают фоторезисторные, фотодиодные, фототранзисторные и фототиристорные оптроны (рис.45). Фоторезисторные оптроны имеют линейную выходную вольтамперную характеристику, однако, из-за большой инерционности их применение ограничено.

Гораздо более широкое развитие получили фотодиодные и фототранзисторные оптроны. У фотодиодных оптронов коэффициент передачи тока Кi - невелик (единицы процента), однако их быстродействие tвкл(выкл)≈10-8с.

Фототранзисторные оптроны имеют большой коэффициент передачи тока (Кi=6÷8), но относительно невысокое быстродействие (tвкл(выкл)≈2∙10-3с). Фототиристорные оптроны могут применяться для коммутации силовых цепей с напряжением до 1300В и токами до 300А.


Рис. 44. Оптрон
(а – устройство; б – передаточная характеристика; в – ключевая характеристика)


При этом в металле электроны свободны и могут легко переходить с уровней заполненной вакантной зоны на незанятые уровни зоны...

читать далее

Диоды Шоттки

Контакт «металл-полупроводник» явился историческим основоположником первого «точечно-контактного» полупроводникового...

читать далее

Pin-диоды

Pin-диоды

13.11.11

Структура pin-диода изображена на рис. 30. В нее входят две сильно легированные области p и n, разделенные областью i с электропроводностью...

читать далее