• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Магниторезисторы

Магниторезисторы
Магниторезистором называется полупроводниковый переменный резистор, увеличивающий сопротивление под действием магнитного поля вследствие магниторезистивного (гальваномагнитного) эффекта.

Магниторезистивный эффект заключается в том, что при протекании электрического тока вдоль пластины полупроводника, помещенной во внешнее поперечное магнитное поле, происходит искривление траектории носителей зарядов вследствие действия отклоняющей силы Лоренца, что приводит к удлинению пути, проходимого носителями между электродами, к которым приложено внешнее электрическое поле, что эквивалентно возрастанию удельного сопротивления полупроводника.

Конструктивно магниторезистор представляет собой нанесенную на ферромагнитную изолированную подложку зигзагообразную дорожку малой ширины из полупроводника с высокой подвижностью носителей зарядов (например, ZnSb, ZnAs, ZnSb + NiSb, InSb + NiSb ), имеющую сопротивление в пределах от единиц до тысяч Ом (рис. 60,а).


Рис. 60. Общий вид и графический символ магниторезистора (а)
и зависимость его сопротивления от индукции магнитного поля (б)

Дорожку пересекает в поперечном направлении ряд проводников, разбивающих ее на серию пластинок с малым отношением расстояния между проводниками к ширине дорожки. Под действием магнитного поля, направленного нормально плоскости дорожки, сопротивление последней увеличивается в несколько раз (до 16 при В = 1 Т). Быстродействие прибора достигает несколько мегагерц, а в специальных образцах без ферритовой подложки – тысяч мегагерц. ТКС подбором материалов удается свести к небольшим значениям, находящимся в пределах от – 1,5 до + 0,02 % / 0 С.

Основными параметрами магниторезисторов являются сопротивление R(0) в отсутствие магнитного поля (от 5 до 1000 Ом), отношение , где R(B) – сопротивление при наличии поперечного магнитного поля с индукцией В = 0,5–1 Тл (от 3 до 20 и более), температурный коэффициент сопротивления (ТКС и ТКR) – от 0,02 до 2 % / К-1, мощность рассеивания (до 0,25 Вт). Важнейшей характеристикой магниторезистора является зависимость , рис. 60,б.

Нижняя валентная зона

В нижней валентной зоне (ВЗ) электроны прочно связаны с атомами упомянутой выше ковалентной связью. В собственном...

читать далее

В инженерной практике часто пользуются простейшей моделью ключевого диода, в котором сопротивлением r в прямом смещении...

читать далее

Основное применение туннельного диода

Правда, вследствие узкого интервала напряжений на этом участке (не более 0,2В) амплитуда генерируемых...

читать далее