• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Принцип усиления в БПТ

Принцип усиления в БПТ
Принцип усиления в БПТ, например, типа n-p-n, заключается в следующем. Положительная полуволна входного усиливаемого сигнала Uвх добавляет положительный потенциал (плюс) на базе транзистора (рис.63), вследствие чего электропроводность перехода база-эмиттер, а, следовательно, и ток базы Iб увеличиваются, что обуславливает интенсивную инжекцию (введение) электронов из основной области (эмиттера) в неосновную (базу). Так возникает эмиттерный ток Iэ. Однако электроны этого тока не успевают рекомбинировать с дырками базы из-за ее малой толщены и оптимально малой концентрации в ней дырок. Поэтому возникает ситуация, при которой эти электроны начинают усиленно экстрактироваться (втягиваться) в соседнюю (коллекторную) область основных носителей (электронов) благодаря сильному электрическому полю положительно заряженного коллектора. Возникает коллекторный ток Iк

(51)

Усиление обусловлено тем, что величина Iк во много раз больше величины Iб в силу величины питающего коллектор напряжения . При этом выходное напряжение Uвых=Uкэ, отбираемое от источника питания Eк, изменяется по закону изменения входного сигнала Uвх и определяется вторым законом Кирхгофа для коллекторной цепи в соответствии с уравнением (52), названным в усилительной технике выходной динамической характеристикой или нагрузочной прямой.

(52)

Из этого выражения видно, что выходной сигнал инвертирован, т. е. противоположен по фазе


Из этого выражения видно, что выходной сигнал инвертирован, т.е. противоположен по фазе относительно входного сигнала, так как увеличение Iе соответственно увеличивает падение напряжения на нагрузке Rн, что приводит к понижению Uкэ, и, наоборот, при уменьшении Iе увеличивается Uкэ.

Коэффициент усиления по напряжению и току имеют вид:

(53)

В усилителе на БПТ с дырочной электропроводностью, т.е. типа p-n-p, работа происходит аналогично, однако, все полярности на электродах транзистора противоположны.
Простейшая схема рис.63 называется схемой с общим эмиттером. Более подробно об усилительном каскаде на БПТ и типовых схемах включения транзисторов будет рассмотрено во втором разделе пособия.

При этом в металле электроны свободны и могут легко переходить с уровней заполненной вакантной зоны на незанятые уровни зоны...

читать далее

Диоды Шоттки

Контакт «металл-полупроводник» явился историческим основоположником первого «точечно-контактного» полупроводникового...

читать далее

Pin-диоды

Pin-диоды

13.11.11

Структура pin-диода изображена на рис. 30. В нее входят две сильно легированные области p и n, разделенные областью i с электропроводностью...

читать далее


Купить Даметекс! Качели Садовые Даметекс Монако Бордо. Качели Садовые
shop.zontprint.ru