• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Полевые транзисторы

Полевые транзисторы
Полевым транзистором (ПТ) называется полупроводниковый прибор с одним обратно смещенным p-n-переходом и тремя выводами – истоком, затвором и стоком, выходной ток которого обусловлен не инжекцией основных носителей (как у БПТ), а расширением или сужением p-n перехода за счет потенциала (поля) затвора, предназначенный для усиления и преобразования электрического сигнала.

В отличие от БПТ в ПТ носители тока только одного типа: дырки в ПТ со структурой p-n, либо электроны в ПТ со структурой n-p, поэтому полевые транзисторы часто называют униполярными (рис.64). Третье название ПТ – канальные, так как ток транзистора протекает в канале «исток-сток», поперечное сечение которого перекрывается за счет расширения поля затвора.

Основному же названию «полевой» эти транзисторы обязаны электрическому полю, возникающему при приложении напряжения между затвором и истоком, который управляет током через канал.


Рис. 64. Структура и схема включения (а) и символы структуры ПТ с каналами n- и p-типов (б)

В усилительном режиме (рис.64,а) затвор обычно смещается в обратном направлении и запирающий слой p-n-перехода расширяется, если отрицательная полуволна входного напряжения добавляет «минус» на затворе, т.е. ширина n-канала уменьшается, что эквивалентно увеличению его сопротивления. Вследствие этого протекание тока через канал от истока к стоку нарушается и даже совсем прекращается, когда запирающий слой охватывает весь канал. При этом небольшие изменения напряжения на затворе вызывают большие изменения падения напряжении на сопротивлении нагрузки, т. е. в стоковой цепи.

Описанный принцип действия ПТ характеризуется так называемый транзистор с управляющим p-n-переходом. Существуют также другие типы полевых транзисторов, например, типов МДП и МОП («металл-диэлектрик-полупроводник» и «металл-окисел-полупроводник»), структуры с индуцированными и встроенными каналами, диффузионными и изолированными затворами, краткая характеристика которых приведена ниже.

Зависимости электропроводности от температуры

При этом в области комнатных температур, при которых обычно работает полупроводниковый прибор, влияние...

читать далее

Стабилизатор переменного напряжения

Одна из возможных схем стабилизатора переменного напряжения на кремниевых стабилитронах приведена...

читать далее

Фотопреобразовательный режим работы фотодиода

Во этом случае фотодиод подобен действию фоторезистора. В этом (фотодиодном) режиме диод включается с помощью внешнего...

читать далее