• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Вольтамперная характеристика полевых транзисторов

Вольтамперная характеристика полевых транзисторов
На рис. 65 приведены проходные вольтамперные характеристики (зависимости тока стока от напряжения на затворе при неизменном напряжение на стоке) транзисторов с каналами n- и p-типов электропроводности и графические символы этих транзисторов.


Рис. 65. Выходная (а) и затворно-стоковая (б) характеристики ПТ
с управляющим p-n-переходом

Проходные характеристики полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом хорошо аппроксимируются выражением [1]



где Iс нач – начальный ток стока (ток стока при UЗИ=0);
UЗИ отс – напряжение отсечки, которое по величине не отличается от напряжения перекрытия канала (напряжения насыщения).

Теоретическое значение показателя степени n = 2, однако экспериментально наблюдаются значения n = 1,5-2,5. Такой разброс экспериментальных значений показателя объясняется конструктивно-технологическими различиями, в частности, различиями распределений концентраций примесей в областях канала и затворов [23].

Таким образом, полевые транзисторы с управляющим p-n переходом работают в режиме обеднения канала носителями заряда (независимо от типа его проводимости) при изменении напряжения затвор-исток от нулевого значения до напряжения отсечки.

Выходная характеристика (рис. 66,а) имеет три области, в которых свойства ПТ значительно отличается. В линейной, малосигнальной, области I (0СИ<0,2..0,6 B) ПТ может использоваться как управляемый полем затвора резистор (рис.66,б). Область насыщения II, зависящая от управляющего напряжения на затворе, «усилительная». В этом режиме ПТ обладает усилением, характеризующимся крутизной . Область III – область пробоя.


Рис. 66. Выходная (а) и затворно-стоковая (б) характеристики ПТ
с управляющим p-n-переходом


При этом в металле электроны свободны и могут легко переходить с уровней заполненной вакантной зоны на незанятые уровни зоны...

читать далее

Диоды Шоттки

Контакт «металл-полупроводник» явился историческим основоположником первого «точечно-контактного» полупроводникового...

читать далее

Pin-диоды

Pin-диоды

13.11.11

Структура pin-диода изображена на рис. 30. В нее входят две сильно легированные области p и n, разделенные областью i с электропроводностью...

читать далее