• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


МОП и МДП-транзисторы

МОП и МДП-транзисторы
Более совершенны ПТ с изолированным затвором, в которых затвор отделен от полупроводниковой подложки тонкой (0,15–0,3 мкм) диэлектрической пленкой из окислов кремния, которые принято называть МОП-транзисторами. При использовании в ПТ иных или слоистых диэлектриков транзисторы называют МДП-транзисторами (металл-диэлектрик-полупроводник).

В зависимости от типа и механизма электропроводности ПТ с изолированным затвором делятся на две группы: ПТ с индуцированным каналом p-типа и ПТ со встроенным каналом n-типа. Структура одного из них показана на рис. 67.


Рис. 67. Разрез структуры МДП-транзистора с индуцированным каналом:
1 – область стока; 2 – металлизация затвора; 3 – подложка; 4 – область истока;
5 – диэлектрик; 6 – область канала

На рис. 68 приведены проходные вольтамперные характеристики
МДП-транзисторов и их обозначения. В отличие от транзисторов с управляющим p-n-переходом, у которых рабочая область простирается от UЗИ = 0 до запирания, МДП-транзисторы сохраняют высокое входное сопротивление при любых напряжениях на затворе, которое ограничено напряжением пробоя изолятора затвора.

У МДП-транзисторов всех типов потенциал подложки относительно истока оказывает существенное влияние на вольтамперные характеристики и параметры транзистора. Это обусловлено тем, что в них p-n-переход «канал-подложка» действует как затвор ПТ с управляющим p-n переходом. Вид статических характеристик МДП-транзисторов различных типов, а также условные графические изображения основных ПТ показаны на рис. 69–71.


Рис. 68. Проходные вольтамперные характеристики полевых транзисторов
с изолированным затвором


Рис. 69. Статические характеристики МДП-транзистора со встроенным каналом


Рис. 70. Статические характеристики управления МДП-транзистора с индуцированным каналом для различных напряжений на подложке относительно истока и Uc = const


Рис. 71. Условные графические изображения полевых транзисторов.
1 – с управляющим p-n-переходом; 2 – с индуцированным каналом;
3 – со встроенным каналом (а – канал n-типа; б – канал p-типа)

Работа ПТ в усилительной и преобразовательной схемах будет рассмотрена в следующих разделах.

Для всех типов ПТ ценным для практики является высокие входные и выходные сопротивления. У МОП ПТ с изолированным затвором канал отделен от затвора тонким изолирующим слоем, что существенно повышает высокое выходное сопротивление, что очень ценно при согласовании нагрузок с каскадами на ПТ.

Основным преимуществом ПТ над БПТ помимо высоких входного и выходного сопротивлений является малые шумы и высокие температурные и радиационные свойства. Основной же недостаток – малое усиление.

Электропроводность примесных полупроводников

Современная полупроводниковая технология базируется на получении возможно более чистого материала, свойства которого достаточно...

читать далее

Стабилитроны

Это полупроводниковый диод, в котором используется неразрушающийся пробойный участок обратной ветви...

читать далее

Фоторезисторы

Конструктивно он представляет собой тонкую пластинку или пленку из полупроводниковых сернистых или селенистых соединений кадмия...

читать далее