• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Принцип работы усилителя на БПТ

Принцип работы усилителя на БПТ
Для пояснения принципа работы усилителя на БПТ воспользуемся типовой схемой усилительного каскада на БПТ с ОЭ, в которой, как и в схеме на ЛТ, отдельные источники базового напряжения (смещения Еб) и коллекторного питания Ек не применяются, а используются делитель базового смещения на резисторах R1 и R2, который совместно с эмиттерным резистором R4 и коллекторным резистором R3 обеспечивает выбор рабочей точки транзистора и её термостабилизацию в процессе работы УК (рис. 78).


Рис. 78. Усилительный каскад на БПТ в схеме с ОЭ

Работу БПТ в типовой схеме с ОЭ (рис. 78) можно пояснить аналогично работе ЛТ с помощью статических и динамических вольтамперных характеристик (ВАХ) (рис. 79).


Рис. 79. Входная ДХ (а) выходные статические характеристики и «НП» (б)

Для анализа схем на БПТ широко используются выходные , входные и проходные статические и динамические характеристики. Независимыми из них являются входная и выходная, приводимые в справочниках.

В качестве входной динамической ВАХ обычно используется статическая при Uкэ>0, например, при Uкэ=5B, что объясняется слабой зависимостью этих ВАХ от Uкэ(рис. 79,а).

В качестве динамической выходной ВАХ в режиме малого переменного сигнала, как и в ЛТ, применяются нагрузочные прямые по постоянному току (рис. 73,б).

В соответствии с рис. 79 процесс усиления можно представить следующей взаимосвязью электрических величин:



Видно, что входной сигнал с амплитудой синфазно изменяет величину Iк , что влечёт пропорциональное изменение IкRк и противофазное изменение коллекторного напряжения Uкэ, причём амплитуда Uкэ (с учётом масштаба по оси абсцисс) значительно больше амплитуды напряжения на базе Uбэ.

При этом в металле электроны свободны и могут легко переходить с уровней заполненной вакантной зоны на незанятые уровни зоны...

читать далее

Диоды Шоттки

Контакт «металл-полупроводник» явился историческим основоположником первого «точечно-контактного» полупроводникового...

читать далее

Pin-диоды

Pin-диоды

13.11.11

Структура pin-диода изображена на рис. 30. В нее входят две сильно легированные области p и n, разделенные областью i с электропроводностью...

читать далее