• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Рабочий режим и элементы схемы усилителей на БПТ

Рабочий режим и элементы схемы усилителей на БПТ
Как и каскад на ЛТ, в усилителе на БПТ линейный режим задаётся выбором РТ на середине нагрузочной прямой (НП) так, что равным отклонениям тока базы (на рис. 79,б отклонения тока базы соответствовали равные отрезки НП.

При этом входной сигнал с амплитудами тока и напряжения вызывает изменения выходного сигнала с амплитудами тока и напряжения .
Следует подчеркнуть, что одна из координат НП учитывает общее сопротивление эмиттерной и коллекторной цепей:

.

В отличие от ЛТ, в БПТ наблюдается значительный тепловой уход рабочей точки в процессе работы каскада. Поэтому термостабилизация РТ имеет существенное значение. Как и в ЛТ, она создаётся протеканием тока отрицательной обратной связи (ООС) через эмиттерный резистор R4 (схема рис.72), который создаёт на базе напряжение ООС, компенсирующее тепловой уход РТ при повышении температуры p-n перехода БПТ. Действие ООС можно представить в следующей функциональной взаимосвязи электрических величин:



Величина Rэ обычно выбирается из соотношения:



где UК мин – минимальная амплитуда коллекторного напряжения;
IКО – постоянный ток коллектора в выбранной РТ.

Для определения резисторов R1 и R2 базового смещения обычно задаётся величина коэффициента стабилизации , после чего рассчитываются основные величины элементов схемы, а также напряжений и токов в основных её точках; в соответствии с нижеприведенными соотношениями:




где – коэффициент передачи тока базы в схеме с ОЭ (даётся в справочниках – обычно берут среднее значение);
Uб – постоянное напряжение между базой и корпусом;
Uбэ – постоянное напряжение между базой и эмиттером;
Iэ – ток эмиттера;
Eк – ЭДС источника коллекторного напряжения (рис. 78).

Выбор конденсатора С2, шунтирующего эмиттерный резистор, производят аналогично выбору катодного конденсатора в УК на ЛТ.




Полупроводник n-типа с электронной электропроводностью

Внедрение пятивалентного элемента (например, фосфора) в решетку четырехвалентного германия или кремния...

читать далее

Варикапы

Варикапы

13.11.11

Это полупроводниковые диоды с очень малыми токами утечки, в которых используется зависимость емкости от обратного напряжения...

читать далее

Фотодиоды

Это двухэлектродный полупроводниковый диод, в котором в результате внутреннего фотоэффекта в p-n переходе возникает...

читать далее