• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Преимущества полевых транзисторов

Преимущества полевых транзисторов
Основным преимуществом полевых транзисторов по сравнению с биполярными являются большое входное сопротивление, малая зависимость параметров от температуры, малые нелинейные искажения и малые шумы.

Малый уровень шумов в диапазоне низких и инфранизких частот (вплоть до частот 1–2 Гц) и высокое входное сопротивление. Делают предпочтительным ПТ по сравнению с БПТ гидролокационной аппаратуре и системах связи на сверхдлинных волнах, а также в схемах ИК техники.

В то же время основными их недостатками по сравнению с БПТ являются: малая мощность, малое значение крутизны S, большая входная емкость, в результате чего, несмотря на большое входное сопротивление, полное входное сопротивление быстро убывает с ростом частоты. Например, Rн=15кОм, Свх=40пФ, и тогда на частоте f=1000кГц , получим .

При расчете динамических параметров и оценке возможностей УК на ПТ в различных схемах включения удобно использовать эквивалентные схемы каскадов в виде ранее упомянутых четырехполюсников. Известно, что УК на ПТ можно представить в виде простейшего четырехполюсника, аналогичного по своим свойствам каскаду на ламповом триоде [25].

Расчетные параметры УК на ПТ на основе таких схем приведены ниже в таблице, в которой источником внутренней ЭДС является параметр мUc, где – коэффициент усиления по напряжению; Uc – амплитуда напряжения входного сигнала; Ri – внутренне сопротивление.

Внутреннее сопротивление, как и другие параметры, можно экспериментально находить по соответствующим статическим вольтамперным характеристикам (рис. 83).


Рис. 83. Статические выходные (а) и передаточная (б) характеристики полевого транзистора с p-n переходом


Зона проводимости

В верхней, так называемой зоне проводимости (ЗП), подавляющее число электронов фактически оторвано от атомов...

читать далее

Ударная ионизация атомов электронами

Такой пробой вызывается ударной ионизацией атомов электронами, вырванными из ковалентной связи под действием сильного...

читать далее

Обращенный диод

Разновидностью туннельного диода является обращенный диод, у которого туннельный эффект имеет место только в обратной...

читать далее