• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Цифровые и аналоговые ключи

Цифровые и аналоговые ключи
В схемотехнике ключевых устройств на полевых транзисторах чаще других используется схема с общим истоком, представленная на рис. 85(а). Когда транзистор закрыт, через него протекает неуправляемый (начальный) ток стока. При открытом транзисторе ток через транзистор должен определяться величиной сопротивления нагрузки и напряжением питания. Для надежного отпирания транзистора амплитуда управляющего напряжения выбирается из условия: , где – ток нагрузки, U0 – пороговое напряжение, S0 – крутизна ВАХ. В настоящее время выпускается достаточная номенклатура транзисторов, для управления которыми достаточно напряжения ТТЛ-уровня.

Особенностью цифровых ключей, применяемых в инверторах, логических элементах И, ИЛИ, триггерах, мультивибраторах и т. д., является наличие в их выходных состояниях «включено» и «выключено» только двух фиксированных потенциалов, один из которых соответствует уровню логической 1, а второй – уровню логического нуля.

В отличие от цифровых ключей, аналоговые ключи в состоянии «включено» обеспечивают передачу аналогового сигнала. Такие ключи используются в коммутаторах, в цифроаналоговых преобразователях, в схемах выборки и запоминания сигналов, в каскадах с цифровым управлением коэффициента передачи, УПТ с преобразованием типа модуляция-демодуляция и тому подобное. Ключи на ПТ в настоящее время получили наибольшее распространение, что объясняется, в основном, крайне малой управляющей мощностью, высокой степенью интеграции и отсутствием напряжения смещения в выходных цепях.


Рис. 85. Ключ на МДП транзисторе с индуцированным затвором

Электропроводность примесных полупроводников

Современная полупроводниковая технология базируется на получении возможно более чистого материала, свойства которого достаточно...

читать далее

Стабилитроны

Это полупроводниковый диод, в котором используется неразрушающийся пробойный участок обратной ветви...

читать далее

Фоторезисторы

Конструктивно он представляет собой тонкую пластинку или пленку из полупроводниковых сернистых или селенистых соединений кадмия...

читать далее