• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Простейшая схема цифрового ключа на МДП-транзисторе

Простейшая схема цифрового ключа на МДП-транзисторе
Простейшая схема цифрового ключа на МДП-транзисторе с индуцированным каналом приведена на рис. 86. При отсутствии управляющего сигнала на входе Eупр=0 транзистор VT находится в закрытом состоянии и напряжение на его выходе максимально: Eвых=Eп.

Емкость нагрузки Cн заряжена до напряжения питания Eп током, протекающим через резистор Rн. При подачи на вход ПТ управляющего напряжения, Eупр=Eп емкость нагрузки Сн разряжается через сопротивление открытого канала ПТ и напряжение на выходе после переходного процесса принимает минимальное значение. Быстродействие ключа зависит от состояния управляющей цепи и от времени заряда и разряда конденсатора Сн. В частности, при высокоомном сопротивлении резистора Rз ключ имеет время включения и выключения, практически определяемые постоянной времени цепи затвора тз:



где Cз – эквивалентная емкость в цепи затвора ПТ.

Характеристика передачи такого ключа приведена на рисунке 86 (кривая 1), которая отличается от характеристики 2 идеального ключа [26].

Различия характеристик обусловлены нелинейной зависимостью сопротивления канала ПТ от напряжения затвор-исток, влиянием емкости Сз и Сн. Приблизить реальную характеристику ключа к идеальной можно путем уменьшения емкостей ключа, увеличения напряжения Еупр и использованием ПТ с малым напряжением запирания U0.

Перспективной схемой ключа на МДП-транзисторах является схема, использующая два транзистора с разными типами проводимостей канала. Такой ключ является основным элементом семейством логических схем с дополнительной симметрией (ДСЛ).

Типовая схема ключа на двух МДП-транзисторах с индуцированными каналами n и p типа приведена на рис. 86 ,б. Характеристика передачи такого ключа (кривая 3 на рис. 86 в) близка к идеальной.


Рис. 86. Ключи цифровых сигналов на МДП-ПТ:
а) с индуцированным каналом; б) с разными типами проводимости каналов;
в) характеристики передачи


Современные представления о физических процессах в полупроводниковых приборах и, в частности, в p-n переходе базируются...

читать далее

Составляющие обратного тока насыщения

термогенерационной составляющей в области пространственного заряда, зависящей от смещения, так как ширина...

читать далее

Преимущество туннельных диодов

Важнейшим преимуществом туннельных диодов перед другими полупроводниковыми приборами является малая...

читать далее