• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Полевой транзистор в режиме управляемого напряжением резистора

Полевой транзистор в режиме управляемого напряжением резистора
Если напряжение сток-исток меньше напряжения насыщения (), то канал полевого транзистора ведет себя как переменный резистор, управляемый напряжением на затворе.


Рис. 87. Принципиальная схема аттенюатора с полевым транзистором
в режиме управляемого резистора


Рис. 88. Схема двухзвенного аттенюатора на полевых транзисторах

Это свойство позволяет использовать полевые транзисторы в аттенюаторах, регуляторах напряжения, умножителях и т. д. На рис. 87 приведена схема аттенюатора с полевыми транзисторами в режиме управляемого резистора [28]. Одним из основных параметров аттенюатора является диапазон регулировки коэффициента передачи для получения наибольшего диапазона регулировки и меньших нелинейных искажений в схеме аттенюатора целесообразно использовать полевые транзисторы с максимальной крутизной характеристики и большим напряжением отсечки.

Диапазон регулировки аттенюатора (рис.87) может быт определен по формуле:



где R1 – сопротивление резистора нерегулируемого плеча аттенюатора;
– выходная проводимость полевого транзистора в закрытом состоянии; – входная проводимость следующего каскада.

При необходимости увеличения диапазона регулировки применяются двух и трехзвенные аттенюаторы (рис. 88). Однозвенный аттенюатор, собранный на полевом транзисторе типа 2П103, позволяет получит диапазон регулировки 40 дБ по постоянному напряжению, а двухзвенный – 80 дБ.

Зона проводимости

В верхней, так называемой зоне проводимости (ЗП), подавляющее число электронов фактически оторвано от атомов...

читать далее

Ударная ионизация атомов электронами

Такой пробой вызывается ударной ионизацией атомов электронами, вырванными из ковалентной связи под действием сильного...

читать далее

Обращенный диод

Разновидностью туннельного диода является обращенный диод, у которого туннельный эффект имеет место только в обратной...

читать далее