• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Полевой транзистор в режиме управляемого напряжением резистора

Полевой транзистор в режиме управляемого напряжением резистора
Если напряжение сток-исток меньше напряжения насыщения (), то канал полевого транзистора ведет себя как переменный резистор, управляемый напряжением на затворе.


Рис. 87. Принципиальная схема аттенюатора с полевым транзистором
в режиме управляемого резистора


Рис. 88. Схема двухзвенного аттенюатора на полевых транзисторах

Это свойство позволяет использовать полевые транзисторы в аттенюаторах, регуляторах напряжения, умножителях и т. д. На рис. 87 приведена схема аттенюатора с полевыми транзисторами в режиме управляемого резистора [28]. Одним из основных параметров аттенюатора является диапазон регулировки коэффициента передачи для получения наибольшего диапазона регулировки и меньших нелинейных искажений в схеме аттенюатора целесообразно использовать полевые транзисторы с максимальной крутизной характеристики и большим напряжением отсечки.

Диапазон регулировки аттенюатора (рис.87) может быт определен по формуле:



где R1 – сопротивление резистора нерегулируемого плеча аттенюатора;
– выходная проводимость полевого транзистора в закрытом состоянии; – входная проводимость следующего каскада.

При необходимости увеличения диапазона регулировки применяются двух и трехзвенные аттенюаторы (рис. 88). Однозвенный аттенюатор, собранный на полевом транзисторе типа 2П103, позволяет получит диапазон регулировки 40 дБ по постоянному напряжению, а двухзвенный – 80 дБ.

Современные представления о физических процессах в полупроводниковых приборах и, в частности, в p-n переходе базируются...

читать далее

Составляющие обратного тока насыщения

термогенерационной составляющей в области пространственного заряда, зависящей от смещения, так как ширина...

читать далее

Преимущество туннельных диодов

Важнейшим преимуществом туннельных диодов перед другими полупроводниковыми приборами является малая...

читать далее