• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Дифференциальные усилители

Дифференциальные усилители
Дифференциальным усилителем (ДУ) называется УПТ, выходной сигнал которого пропорционален разности входных сигналов.
Очевидно, что в идеальном ДУ при равенстве сигналов на входах ДУ его выходной сигнал равен нулю.
Схема ДУ представляет собой симметричный мост (рис. 94а, 94б схема замещения):


Рис. 94. Дифференциальный усилитель (а) и эквивалентная схема (б)

При отсутствии входного сигнала мост сбалансирован (находится в равновесии), поэтому выходное напряжение на Rн, включенном в диагональ моста, равно 0. Входное напряжение на базах транзисторов всегда в противофазе. Если на левой входной клемме +, а на правой – то по мере увеличения Uвх ток Iк1 увеличивается, а ток Iк2 уменьшается, равновесие нарушается и через нагрузку течет уравнительный ток, пропорциональный разности между двумя входами. При этом источник сигнала д. б. симметричен относительно общего провода (земли).

Удобство таких схем ещё в том, что они позволяют использовать в любых сочетаниях несимметричные или симметричные вход и выход. Так, если заземлить один из входов, то полученная схема с несимметричным входом и симметричным выходом. Если исключить (закоротить) один из коллекторных резисторов, то получится схема с симметричным входом.
Коэффициент усиления ДУ, равный отношению выходного напряжения к разности напряжений на входах при идентичных транзисторах:



Такие ДУ часто выполняются в сочетании с транзисторным генератором тока (вместо резистора R3), что компенсируют дрейф нуля более чем в 10 раз (см. микросхему ОУ К140УД1, рис. 95).
Одно из главных применений ДУ – в качестве входных каскадов операционных усилителей, часто выполняемых на основе интегральных схем.

При этом в металле электроны свободны и могут легко переходить с уровней заполненной вакантной зоны на незанятые уровни зоны...

читать далее

Диоды Шоттки

Контакт «металл-полупроводник» явился историческим основоположником первого «точечно-контактного» полупроводникового...

читать далее

Pin-диоды

Pin-диоды

13.11.11

Структура pin-диода изображена на рис. 30. В нее входят две сильно легированные области p и n, разделенные областью i с электропроводностью...

читать далее