• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Классификация диодов

Классификация диодов представлена на рис. 12.


а) б) в) г) д) е)


ж) з)

Рис. 12. Условные графические обозначения полупроводниковых диодов:
а) выпрямительный и импульсный диод; б) стабилитрон; в) симметричный стабилитрон;
г) варикап; д) туннельный диод; е) диод Шотки; ж) излучающий диод; з) фотодиод

Выпрямительный диод использует вентильные свойства p–n–перехода и применяется в выпрямителях переменного тока. Выпрямительный диод представляет собой электронный ключ (ЭК), управляемый приложенным к нему напряжением. При прямом напряжении диод замкнут, при обратном – разомкнут. При прямом напряжении за счет падения напряжения UПР на открытом диоде выпрямленное напряжение, снимаемое с нагрузки, ниже входного напряжения. Значение UПР открытого диода не превышает для кремниевых диодов ~ 1,5 B. Основными параметрами выпрямительного диода являются:

IПР СР MAX – максимальное (за период входного напряжения) значение среднего выпрямленного тока;

UОБР ДОП – допустимое наибольшее значение постоянного обратного напряжения диода;
UПР – прямое падение напряжения на диоде при заданном прямом токе.

Стабилитрон применяется в нелинейных цепях постоянного тока для стабилизации напряжения. Для стабилизации высокого напряжения (U > 3B) используют обратную ветвь (участок АВ) ВАХ. Применяемые для этой цели диоды называют стабилитронами.

К основным параметрам стабилитрона относятся: UCT – номинальное напряжение стабилизации при заданном токе; r – дифференциальное сопротивление при заданном токе; IСТ MIH – минимальный ток стабилизации; РMAX – максимально допустимая рассеиваемая мощность; температурный коэффициент (ТКН) стабилизации.

Варикап – полупроводниковый диод, действие которого основано на использовании зависимости зарядной емкости СЗАР от значения приложенного напряжения. Это позволяет применять варикап в качестве элемента с электрическим управлением емкости.

Максимальное значение емкости варикап имеет при нулевом напряжении смещения. При увеличении обратного смещения емкость варикапа уменьшается. Основными параметрами варикапа являются:

С – емкость при обратном напряжении 2 – 5 В;
Кc – коэффициент перекрытия по емкости для оценки зависимости СВ = f (UОБР).

Обычно С = 10 – 500 пФ, К = 5 – 20.

Диод Шотки – полупроводниковый диод с низким падением напряжения на открытом диоде – 0,3 В. Время восстановления обратного сопротивления tBC составляет величину порядка 100 пс, что значительно меньше у обычных диодов. Кроме применения в цифровых схемах, диоды Шотки применяются в схемах вторичных источников электропитания с целью снижения статических и динамических потерь в выходных каскадах.

Нижняя валентная зона

В нижней валентной зоне (ВЗ) электроны прочно связаны с атомами упомянутой выше ковалентной связью. В собственном...

читать далее

В инженерной практике часто пользуются простейшей моделью ключевого диода, в котором сопротивлением r в прямом смещении...

читать далее

Основное применение туннельного диода

Правда, вследствие узкого интервала напряжений на этом участке (не более 0,2В) амплитуда генерируемых...

читать далее