• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Биполярный транзистор с общим эмиттером

Биполярный транзистор с общим эмиттером
Параметром, который положен в основу рассмотрения в соответствии с эквивалентной схемой (рис. 16), является напряжение база – эмиттер в рабочей точке Uбэ, составляющее ~ 0,6 B. Напряжение источника питания должно быть меньше напряжения питания Uп max. Обычно Uп ≤ 0,7 Uп max.


Рис. 16

Максимальный ток, протекающий через транзистор, определяется допустимой мощностью рассеивания на транзисторе. В этой схеме Iэ = Iк + Iб.

При условии Rн << rк / в коэффициент усиления по току и входное сопротивление усилителя соответственно равны:

KI = h21Э ≈ , Rвх = rЭh21Э,

где rЭ = φТ / IЭ – дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода.

Коэффициент усиления по напряжению
KU ≈ –h21Э = – .

Соответственно выходное сопротивление Rвых = Rн || rCE , где rCE – дифференциальное выходное сопротивление коллектор – эмиттер, rCE = Uy/Iк, где
Uy – коэффициент пропорциональности (напряжение Эрли – 80…200 В для транзисторов n–p–n).

Усилитель имеет относительно большое входное сопротивление ≈ 1 кОм, очень большое выходное сопротивление, приближающееся к сопротивлению коллекторного перехода. Усилитель с такими параметрами приближается к источнику тока, управляемому напряжением.

Зона проводимости

В верхней, так называемой зоне проводимости (ЗП), подавляющее число электронов фактически оторвано от атомов...

читать далее

Ударная ионизация атомов электронами

Такой пробой вызывается ударной ионизацией атомов электронами, вырванными из ковалентной связи под действием сильного...

читать далее

Обращенный диод

Разновидностью туннельного диода является обращенный диод, у которого туннельный эффект имеет место только в обратной...

читать далее