• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Биполярный транзистор с общим эмиттером

Биполярный транзистор с общим эмиттером
Параметром, который положен в основу рассмотрения в соответствии с эквивалентной схемой (рис. 16), является напряжение база – эмиттер в рабочей точке Uбэ, составляющее ~ 0,6 B. Напряжение источника питания должно быть меньше напряжения питания Uп max. Обычно Uп ≤ 0,7 Uп max.


Рис. 16

Максимальный ток, протекающий через транзистор, определяется допустимой мощностью рассеивания на транзисторе. В этой схеме Iэ = Iк + Iб.

При условии Rн << rк / в коэффициент усиления по току и входное сопротивление усилителя соответственно равны:

KI = h21Э ≈ , Rвх = rЭh21Э,

где rЭ = φТ / IЭ – дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода.

Коэффициент усиления по напряжению
KU ≈ –h21Э = – .

Соответственно выходное сопротивление Rвых = Rн || rCE , где rCE – дифференциальное выходное сопротивление коллектор – эмиттер, rCE = Uy/Iк, где
Uy – коэффициент пропорциональности (напряжение Эрли – 80…200 В для транзисторов n–p–n).

Усилитель имеет относительно большое входное сопротивление ≈ 1 кОм, очень большое выходное сопротивление, приближающееся к сопротивлению коллекторного перехода. Усилитель с такими параметрами приближается к источнику тока, управляемому напряжением.

Полупроводник n-типа с электронной электропроводностью

Внедрение пятивалентного элемента (например, фосфора) в решетку четырехвалентного германия или кремния...

читать далее

Варикапы

Варикапы

13.11.11

Это полупроводниковые диоды с очень малыми токами утечки, в которых используется зависимость емкости от обратного напряжения...

читать далее

Фотодиоды

Это двухэлектродный полупроводниковый диод, в котором в результате внутреннего фотоэффекта в p-n переходе возникает...

читать далее