• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Режим отсечки и режим насыщения

Режим отсечки и режим насыщения
Режим отсечки

При включении транзистора по схеме (ОЭ) в режим отсечки (выключено) в коллекторной цепи протекает ток, близкий обратному току коллекторного перехода. Увеличение напряжения uБЭ приводит к увеличению тока базы лишь до uБЭ = UОТП. При расчете импульсных схем используется напряжение отпирания (открывания) UОТП для кремниевых транзисторов 0,5…0,6 В.

Режим насыщения

Транзистор открывается, когда на вход подается положительное напряжение, и при условии UБ > UОТП коллекторный IK и базовый IБ токи в транзисторе увеличиваются. По мере нарастания тока базы растет коллекторный ток и уменьшается коллекторное напряжение на резисторе RH, а также уменьшается обратное напряжение UКБ, приложенное к коллекторному переходу.

Напряжение на коллекторе UКЭ НАС и базе UБЭ НАС насыщенного транзистора остается постоянным, и выполняется неравенство UКЭ НАС < UБЭ НАС. Для кремниевых транзисторов напряжение насыщения, как правило, составляет UКЭ НАС ~0,2…0,3 B; UБЭ НАС ~0,5…0,8 B.

Зависимости электропроводности от температуры

При этом в области комнатных температур, при которых обычно работает полупроводниковый прибор, влияние...

читать далее

Стабилизатор переменного напряжения

Одна из возможных схем стабилизатора переменного напряжения на кремниевых стабилитронах приведена...

читать далее

Фотопреобразовательный режим работы фотодиода

Во этом случае фотодиод подобен действию фоторезистора. В этом (фотодиодном) режиме диод включается с помощью внешнего...

читать далее