• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Режим отсечки и режим насыщения

Режим отсечки и режим насыщения
Режим отсечки

При включении транзистора по схеме (ОЭ) в режим отсечки (выключено) в коллекторной цепи протекает ток, близкий обратному току коллекторного перехода. Увеличение напряжения uБЭ приводит к увеличению тока базы лишь до uБЭ = UОТП. При расчете импульсных схем используется напряжение отпирания (открывания) UОТП для кремниевых транзисторов 0,5…0,6 В.

Режим насыщения

Транзистор открывается, когда на вход подается положительное напряжение, и при условии UБ > UОТП коллекторный IK и базовый IБ токи в транзисторе увеличиваются. По мере нарастания тока базы растет коллекторный ток и уменьшается коллекторное напряжение на резисторе RH, а также уменьшается обратное напряжение UКБ, приложенное к коллекторному переходу.

Напряжение на коллекторе UКЭ НАС и базе UБЭ НАС насыщенного транзистора остается постоянным, и выполняется неравенство UКЭ НАС < UБЭ НАС. Для кремниевых транзисторов напряжение насыщения, как правило, составляет UКЭ НАС ~0,2…0,3 B; UБЭ НАС ~0,5…0,8 B.

Современные представления о физических процессах в полупроводниковых приборах и, в частности, в p-n переходе базируются...

читать далее

Составляющие обратного тока насыщения

термогенерационной составляющей в области пространственного заряда, зависящей от смещения, так как ширина...

читать далее

Преимущество туннельных диодов

Важнейшим преимуществом туннельных диодов перед другими полупроводниковыми приборами является малая...

читать далее