• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Классификация полевых транзисторов

Классификация полевых транзисторов
Полевые транзисторы бывают двух видов: с управляющим n–p–переходом и со структурой металл – диэлектрик – полупроводник (МДП – транзисторы).
Различают шесть различных типов транзисторов (рис. 20).


а) б) в)

Рис. 20. Схемные обозначения полевых транзисторов:
с управляющим p–n–переходом (а); МОП с встроенным каналом (обедненного типа) (б); МОП с индуцированным каналом (обогащенного типа) (в)

Управляющим электродом транзистора является затвор G. Он позволяет управлять величиной сопротивления между стоком D и истоком S. Управляющим напряжением является напряжение UGS. Большинство полевых транзисторов являются симметричными, т.е. их свойства не изменяются, если их электроды D и G поменять местами. У полевых транзисторов с изолированным затвором или МОП – транзисторов затвор отделен тонким слоем SiO2. При таком исполнении транзисторов ток через затвор не будет протекать при любой полярности на затворе. Реальные токи затворов полевых транзисторов составляют для МОП – транзисторов от 1•10─10А до 1•10─13 нА. Входное сопротивление у МОП – транзисторов от 1010 до 1013 Ом.

Аналогично делению биполярных транзисторов на n–p–n и p–n–p–транзисторы полевые делятся на n-канальные и р-канальные. У n-канальных полевых транзисторов ток канала становится тем меньше, чем сильнее падает потенциал затвора (открывается отрицательным напряжением). У р-канальных полевых транзисторов явление обратное. Через полевые МОП – транзисторы обедненного типа при напряжении UGS = 0 протекает наибольший ток стока. Такие транзисторы называют нормально открытыми. Наоборот, МОП – транзисторы обогащенного типа запираются при величинах UGS, близких к нулю (открываются положительным напряжением). Их называют нормально закрытыми.
Наибольшее применение получили полевые МОП – транзисторы обогащенного типа, биполярным аналогом которых является n–p–n–транзистор.


Рис. 21

В нормальном режиме сток (или соответствующий ему коллектор) имеет положительный потенциал истока (эмиттера).

Ток истока отсутствует, пока на затвор (базу) не будет подано положительное напряжение по отношению к истоку.

Ток стока зависит от Uзи – Iс, величины, на которую напряжение затвор – исток превышает пороговое напряжение (или напряжение отсечки). Линейная область, в которой ток стока приблизительно пропорционален UЗИ, достигает напряжения Uзи нас, после чего ток стока почти не изменяется. Крутизна наклона линейного участка Iс / Uзи пропорциональна напряжению смещения, Uзи–Uп. При напряжении стока Uси нас кривая «выходит на насыщение», равное Uзи–Uп, в результате ток насыщения Iс нас становится в зависимости Uзи–Iс пропорционален (Uзи –Uп)2 – квадратичный закон. Для определения тока стока МОП – транзистора n-канального обогащенного типа имеем:

Iс = 2k[(Uси – Uп)Uси – 0,5U2см] – линейный участок,
Iс = k(Uзи – Uп)2 – участок насыщения, где k – коэффициент пропорциональности.
По анализу выходной характеристики можно сформулировать:
а) удельное сопротивление МОП – транзистора в линейной области пропорционально напряжению возбуждения;
б) линейный участок простирается до напряжения возбуждения;
в) ток насыщения стока пропорционален напряжению возбуждения в квадрате.

Амплитудно-модулированные сигналы

В этой схеме АМ колебания подводится на вход диодного детектора, например, в радиовещательном приемнике, от резонансного

читать далее

Применение светоизлучающих диодов

В современной классификации излучающих полупроводниковых приборов, основным элементом в которых является светодиод...

читать далее

Полевые транзисторы

Полевым транзистором (ПТ) называется полупроводниковый прибор с одним обратно смещенным p-n-переходом и тремя выводами...

читать далее