• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


IGBT транзисторы

IGBT транзисторы
Получил распространение прибор IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), в котором удачно сочетаются особенности полевых транзисторов с изолированным затвором n-канальным обогащенного типа и дополнительных биполярных транзисторов n–p–n и p–n–p типов проводимостей (рис. 22).


Рис. 22

Технологически транзистор IGBT получают из транзистора MOSFET посредством добавления одного биполярного транзистора структуры p–n–p, благодаря которому и появились замечательные возможности этого силового прибора. Образовавшаяся структура из транзисторов VT1 и VT2 имеет внутреннюю положительную обратную связь, так как ток коллектора VT2 влияет на ток базы VT1 и наоборот. Коэффициенты передачи транзисторов, соответственно, равны α1 и α2. Ток стока полевого транзистора:

Iс = Iэ(1 – α1 – α2).

Поскольку ток стока можно определить через крутизну S, напряжение на затворе IC = SUЭ определим ток IGBT

Iс = Iэ = SUэ / [1-(α1 +α2)] = SэUэ,

где Sэ = S / [1 – (α1 + α2)] – эквивалентная крутизна биполярного транзистора с изолированным затвором.

Iс = Iэ(1 – α1 – α2).


Рис. 23. Условное схематическое обозначение транзистора IGBT (а)
и его область безопасной работы (б)


Образование области пространственного заряда

Тогда из-за существенного различия концентраций электронов и дырок в n- и p-областях неизбежно возникают диффузионные токи электронов...

читать далее

Амплитудно-модулированные сигналы

В этой схеме АМ колебания подводится на вход диодного детектора, например, в радиовещательном приемнике, от резонансного

читать далее

Применение светоизлучающих диодов

В современной классификации излучающих полупроводниковых приборов, основным элементом в которых является светодиод...

читать далее