• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


IGBT транзисторы

IGBT транзисторы
Получил распространение прибор IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), в котором удачно сочетаются особенности полевых транзисторов с изолированным затвором n-канальным обогащенного типа и дополнительных биполярных транзисторов n–p–n и p–n–p типов проводимостей (рис. 22).


Рис. 22

Технологически транзистор IGBT получают из транзистора MOSFET посредством добавления одного биполярного транзистора структуры p–n–p, благодаря которому и появились замечательные возможности этого силового прибора. Образовавшаяся структура из транзисторов VT1 и VT2 имеет внутреннюю положительную обратную связь, так как ток коллектора VT2 влияет на ток базы VT1 и наоборот. Коэффициенты передачи транзисторов, соответственно, равны α1 и α2. Ток стока полевого транзистора:

Iс = Iэ(1 – α1 – α2).

Поскольку ток стока можно определить через крутизну S, напряжение на затворе IC = SUЭ определим ток IGBT

Iс = Iэ = SUэ / [1-(α1 +α2)] = SэUэ,

где Sэ = S / [1 – (α1 + α2)] – эквивалентная крутизна биполярного транзистора с изолированным затвором.

Iс = Iэ(1 – α1 – α2).


Рис. 23. Условное схематическое обозначение транзистора IGBT (а)
и его область безопасной работы (б)


Электропроводность примесных полупроводников

Современная полупроводниковая технология базируется на получении возможно более чистого материала, свойства которого достаточно...

читать далее

Стабилитроны

Это полупроводниковый диод, в котором используется неразрушающийся пробойный участок обратной ветви...

читать далее

Фоторезисторы

Конструктивно он представляет собой тонкую пластинку или пленку из полупроводниковых сернистых или селенистых соединений кадмия...

читать далее


Juniper MX204
4telecomstore.ru