• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Цифровые интегральные схемы

Интегральные схемы – это законченные комплексные устройства, изготовленные в кремниевой пластинке (чипе). Одно такое устройство может содержать от 10 до 100 000 активных элементов (диодов и транзисторов) и, за исключением некоторых специальных приборов (например, усилители большой мощности), подобная конструкция полностью вытеснила дискретную схемотехнику.

Интегральные схемы делятся на два крупных класса: линейные (аналоговые) и цифровые. Типичным примером аналоговых схем являются операционные усилители, а цифровых – логические микросхемы. Кроме того, имеются микросхемы и некоторого «промежуточного» класса. К ним относятся, например, аналого-цифровые преобразователи (АЦП), цифроаналоговые преобразователи (ЦАП) и таймер серии 555 (КР 1006 ВИ1). Этот таймер содержит два операционных усилителя, работающих в качестве компараторов напряжения, соединенных с цифровой бистабильной частью, буферный усилитель и транзистор с открытым коллектором.

В качестве активных элементов цифровых микросхем применяются два типа транзисторов: биполярные и полевые (униполярные). Последние имеют структуру металл – окисел – полупроводник (МОП). Цифровые микросхемы на биполярных и полевых транзисторах существенно различаются, и развитие их идет самостоятельными путями. Из логических интегральных схем наибольшее распространение имеет транзисторно-транзисторная логика (ТТЛ).

Микросхемы на основе полевых транзисторов, основанные на совместном включении пары транзисторов с каналами разных видов проводимости, так называемые комплементарные структуры (КМОП).

Электронно-дырочный переход

Электронно-дырочным (или кратко, p-n) переходом называется электрический переход между двумя тесно контактируемыми областями...

читать далее

Случай обратного смещения p-n перехода, при котором p-область присоединена к отрицательному, а n-область – к положительному зажиму...

читать далее

Туннельный эффект

При отсутствии внешнего напряжения вопреки законам классической механики существует возможность перехода электронов проводимости

читать далее