• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Параметры интегральных микросхем

Параметры интегральных микросхем
Оценивают микросхемы по следующим основным параметрам: напряжению питания, быстродействию (динамическим характеристикам), потребляемой мощности, коэффициенту разветвления по выходу, коэффициенту объединения по входу, помехоустойчивости, надежности, стойкости к климатическим и механическим воздействиям.


а) б)

Рис. 45. Уровни срабатывания ТТЛ (а); передаточная характеристика (б)

Граница между этими двумя диапазонами напряжений называется логическим порогом. Для микросхем серии КР1533 UВЫХ = UВХ – UПОР (1,52 В).

Прежде чем изучать варианты элементов, рассмотрим, как определяются некоторые импульсные параметры.


Рис. 46. Временная диаграмма переключения инвертора (а);
взаимное расположение переднего фронта (включение) и заднего фронта
(среза – выключение) (б) и (в)

На графиках отмечено пять временных отрезков: длительности положительного t0,1 и отрицательного t1,0 выходных перепадов, два задержки распространения (при включении t1,0зд.р и при выключении t0,1зд.р), а также так называемое среднее время задержки распространения выходного сигнала tЗД.Р.СР. Более общий параметр – среднее время задержки распространения выходного сигнала tЗД.Р.СР – это полусумма t1,0ЗЗД.Р и t0,1ЗД.Р. Параметр tЗД.Р.СР позволяет сравнивать быстродействие любых известных логик.

Помехоустойчивость или, как ее еще называют, шумовой иммунитет определяет допустимое напряжение помех на входах микросхемы и непосредственно связана с ее передаточной характеристикой. В зависимости от продолжительности помехи ее связывают с помехами, длительность которых больше длительности переходных процессов. Для помехоустойчивости может учитываться воздействие напряжения высокого и низкого уровня.

При внедрении трехвалентного элемента, например, бора, в решетку четырехвалентных германия или кремния образуется...

читать далее

Cтабилизатор постоянного напряжения

Основное применение стабилитронов – стабилизация постоянного и переменного напряжений в радиоэлектронной аппаратуре...

читать далее

В этом случае фотодиод используется как полупроводниковый фотоэлемент, генерирующий под действием света электрическую энергию...

читать далее