• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Микросхемы с третьим (Z) состоянием

Микросхемы с третьим (Z) состоянием
Для работы с общей шиной используют элементы с тремя состояниями. Помимо двух обычных выходных состояний они могут находиться еще в состоянии высокого импеданса (Z – состоянии), когда закрыты оба выходных транзистора. При подаче на вход разрешения EZ (tnablt Z) высокого уровня транзистор VT1 открывает и закрывает VT6 , VT7 независимо от сигналов, действующих на входах x1 и x2. Элементы на три состояния чаще применяются в микропроцессорных системах, а элементы с ОК обладают худшей помехоустойчивостью и пониженным быстродействием, но в следующих трех случаях они, тем не менее, незаменимы:

а) если логический элемент должен управлять внешней нагрузкой, которая подключается к источнику положительного напряжения, превышающего напряжение питания самого элемента;
б) если используется соединение «монтажное И»;
в) если элемент работает на внешнюю шину (для связи с внешними устройствами).

На рис. 49, в показана схема организации входа разрешения, управляемого инверсной командой EZ. Если на этот вход подать напряжение высокого уровня EZ = H, представленное на схеме инвертора, который имеет третье выходное состояние Z, то выход Y размыкается. Выходной провод Y как бы «висит» в воздухе.

Микросхема переходит в состояние Z с очень большим выходным сопротивлением. Если на вход подается разрешающий низкий уровень, инвертор со входом I и выходом Y работает как обычно.


а) б) в) г)

Рис. 49. Схема микросхемы с третьим состоянием (а);
таблица истинности (б); схема включения в информационный канал (в);
графическое изображение (г)

Нижняя валентная зона

В нижней валентной зоне (ВЗ) электроны прочно связаны с атомами упомянутой выше ковалентной связью. В собственном...

читать далее

В инженерной практике часто пользуются простейшей моделью ключевого диода, в котором сопротивлением r в прямом смещении...

читать далее

Основное применение туннельного диода

Правда, вследствие узкого интервала напряжений на этом участке (не более 0,2В) амплитуда генерируемых...

читать далее