• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Микросхемы с третьим (Z) состоянием

Микросхемы с третьим (Z) состоянием
Для работы с общей шиной используют элементы с тремя состояниями. Помимо двух обычных выходных состояний они могут находиться еще в состоянии высокого импеданса (Z – состоянии), когда закрыты оба выходных транзистора. При подаче на вход разрешения EZ (tnablt Z) высокого уровня транзистор VT1 открывает и закрывает VT6 , VT7 независимо от сигналов, действующих на входах x1 и x2. Элементы на три состояния чаще применяются в микропроцессорных системах, а элементы с ОК обладают худшей помехоустойчивостью и пониженным быстродействием, но в следующих трех случаях они, тем не менее, незаменимы:

а) если логический элемент должен управлять внешней нагрузкой, которая подключается к источнику положительного напряжения, превышающего напряжение питания самого элемента;
б) если используется соединение «монтажное И»;
в) если элемент работает на внешнюю шину (для связи с внешними устройствами).

На рис. 49, в показана схема организации входа разрешения, управляемого инверсной командой EZ. Если на этот вход подать напряжение высокого уровня EZ = H, представленное на схеме инвертора, который имеет третье выходное состояние Z, то выход Y размыкается. Выходной провод Y как бы «висит» в воздухе.

Микросхема переходит в состояние Z с очень большим выходным сопротивлением. Если на вход подается разрешающий низкий уровень, инвертор со входом I и выходом Y работает как обычно.


а) б) в) г)

Рис. 49. Схема микросхемы с третьим состоянием (а);
таблица истинности (б); схема включения в информационный канал (в);
графическое изображение (г)

Современная электроника

В современной терминологии электроника – это наука о взаимодействии электронов с электромагнитными полями, а также крупная отрасль техники...

читать далее

Уровень Ферми при прямом смещении оказывается разным в n- и p- областях, поэтому и осуществляется направленное перемещение...

читать далее

Туннельные диоды

Туннельный и обращенный диоды относятся к группе полупроводниковых диодов с чрезвычайно сильным легированием полупроводника...

читать далее