• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Неэкранированные магниторезистивные преобразователи

Магниторезистивные преобразователи, как известно, отличаются высокой чувствительностью и независимостью амплитуды сигнала воспроизведения от скорости движения носителя. Однако по сравнению с тонкопленочными магнитными головками они более уязвимы, т.е. больше подвержены механическому износу и химическому взаимодействию со средой, в которой находится открытая часть магниторезистивного элемента, выходящая на рабочую поверхность. Надежная защита магниторезистивного элемента достигается в конструкции, содержащей потоковедущие элементы, позволяющие направить полезный магнитный поток к магниторезистивному элементу, который не сопряжен с рабочей поверхностью головки.

Известны различные модификации таких конструкций. К сожалению, для большинства из них характерны две нежелательные особенности: одна связана с уменьшением чувствительности, а другая - с возникновением дополнительного шума, исходящего от потоковедущих элементов. Для экспериментального исследования таких особенностей изготавливались магниторезистивные преобразователи с различными по размерам и конфигурации потоковедущими элементами. Рассматривались три модификации, отличающиеся степенью магнитного экранирования магниторезистивного элемента. Первая модификации - преобразователь с неэкранированным магниторезистивным элементом. Вторая - частично экранированный преобразователь с магниторезистивным элементом, на поверхности экранирующего элемента, выполненного из магнитомягкого материала. И наконец, третья модификация - полностью экранированный магниторезистивный преобразователь, содержащий экранированный с обеих сторон магниторезистивный элемент. Неэкранированный преобразователь - самая простая модификация, по магнитным свойствам существенно отличающаяся от полностью экранированного преобразователя. Частично экранированные магниторезистивные преобразователи удобны, например, для наблюдения доменной структуры.

Начало развития вычислительных средств

Для облегчения физического труда еще с древних времен использовались разнообразные приспособления, механизмы и машины...

читать далее

Первый транзистор

В результате многочисленных экспериментов удалось изготовить образец, включающий границу перехода между двумя типами...

читать далее

В результате развития метода молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) разработаны технологии МПЭ с газовыми источниками...

читать далее