• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Полностью экранированные магниторезистивные преобразователи

На рис. 6.2 представлены три разновидности полностью экранированных магниторезистивных преобразователей. Первая разновидность - с выходящим на рабочую поверхность магниторезистивным элементом 1 без потоковедущих элементов (рис. 6.2, а). Вторая - с магниторезистивным элементом 1, расположенным в глубине между экранирующими элементами 2 и сопряженным с фронтальным потоковедущим элементом 3, выходящим на рабочую поверхность (рис. 6.2, б). И, наконец, третья разновидность - с магниторезистивным элементом 1, сопряженным с фронтальным 3 и замыкающим 4 потоковедущими элементами (замыкающий элемент гораздо длиннее фронтального) (рис. 6.2, в). Расстояние между магниторезистивным элементом и экранирующими элементами составляло 2 мкм. Магниторезистивный элемент представлял собой тонкопленочную пермаллоевую полосу высотой 5 мкм и толщиной 30 нм. Для смещения и магнитной стабилизации использовались соответственно шунтирующий и с обменным взаимодействием элементы.

Длина активного участка магниторезистивного элемента при узких потоковедущих элементах равнялась 12 мкм, а при широких - 24 мкм. Рассматривались одно- и многослойные потоковедущие элементы, осажденные из пермаллоя. Толщина пермаллоевого слоя



Рис. 6.2. Экранированные магниторезистивные преобразователи:
1 - магниторезистивный элемент; 2 - экранирующие элементы; 3 - фронтальный потоковедущий элемент; 4 - замыкающий потоковедущий элемент

составляла 200 нм. Многослойный элемент включал 10 пермаллоевых слоев, разделенных прослойками тантала. Область перекрытия магниторезистивного элемента с фронтальным и замыкающим элементами в направлении магнитного потока имела протяженность соответственно 2 и 1 мкм. Фронтальные элементы выполнялись в форме прямоугольника разной ширины: 2, 4, 6, 8 и 26 мкм. Такой же формы были и замыкающие элементы; их ширина 8 мкм и высота 20 мкм. Толщина экранирующих элементов составляла примерно 3 мкм, они осаждались из пермаллоя.

Магниторезистивная характеристика изготовленных таким образом разных модификаций магниторезистивных преобразователей исследовалась в однородном магнитном поле напряженностью ±6,4 кА/м, ориентированном в их поперечном направлении. Задающий ток для несмещенных элементов составлял 10 мА, а для смещенных - 15 мА. Однородное магнитное поле отличается от поля рассеяния рабочего слоя носителя записи при воспроизведении информации. Поэтому условия эксперимента можно считать в определенной степени приближенными: они отличаются от реальных условий, в которых происходит более сложный процесс магнитной стабилизации магниторезистивного элемента. Для наблюдения доменной структуры магниторезистивного и потоковедущих элементов применялся магнитооптический метод Керра.

Унификация информационных технологий

Удовлетворение возрастающих потребностей общества при неуклонном росте народонаселения земного шара требует...

читать далее

Изучая свойства кристаллического детектора, наш соотечественник, выдающийся радиофизик О.В. Лосев (1903-1942), обнаружил на вольт-амперной...

читать далее

Создание слоев на интегральных микросхемах

Для формирования барьерных слоев все чаще используют тонкие пленки нитрида титана. Однако современная технология...

читать далее