• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Полностью экранированные магниторезистивные преобразователи

На рис. 6.2 представлены три разновидности полностью экранированных магниторезистивных преобразователей. Первая разновидность - с выходящим на рабочую поверхность магниторезистивным элементом 1 без потоковедущих элементов (рис. 6.2, а). Вторая - с магниторезистивным элементом 1, расположенным в глубине между экранирующими элементами 2 и сопряженным с фронтальным потоковедущим элементом 3, выходящим на рабочую поверхность (рис. 6.2, б). И, наконец, третья разновидность - с магниторезистивным элементом 1, сопряженным с фронтальным 3 и замыкающим 4 потоковедущими элементами (замыкающий элемент гораздо длиннее фронтального) (рис. 6.2, в). Расстояние между магниторезистивным элементом и экранирующими элементами составляло 2 мкм. Магниторезистивный элемент представлял собой тонкопленочную пермаллоевую полосу высотой 5 мкм и толщиной 30 нм. Для смещения и магнитной стабилизации использовались соответственно шунтирующий и с обменным взаимодействием элементы.

Длина активного участка магниторезистивного элемента при узких потоковедущих элементах равнялась 12 мкм, а при широких - 24 мкм. Рассматривались одно- и многослойные потоковедущие элементы, осажденные из пермаллоя. Толщина пермаллоевого слоя



Рис. 6.2. Экранированные магниторезистивные преобразователи:
1 - магниторезистивный элемент; 2 - экранирующие элементы; 3 - фронтальный потоковедущий элемент; 4 - замыкающий потоковедущий элемент

составляла 200 нм. Многослойный элемент включал 10 пермаллоевых слоев, разделенных прослойками тантала. Область перекрытия магниторезистивного элемента с фронтальным и замыкающим элементами в направлении магнитного потока имела протяженность соответственно 2 и 1 мкм. Фронтальные элементы выполнялись в форме прямоугольника разной ширины: 2, 4, 6, 8 и 26 мкм. Такой же формы были и замыкающие элементы; их ширина 8 мкм и высота 20 мкм. Толщина экранирующих элементов составляла примерно 3 мкм, они осаждались из пермаллоя.

Магниторезистивная характеристика изготовленных таким образом разных модификаций магниторезистивных преобразователей исследовалась в однородном магнитном поле напряженностью ±6,4 кА/м, ориентированном в их поперечном направлении. Задающий ток для несмещенных элементов составлял 10 мА, а для смещенных - 15 мА. Однородное магнитное поле отличается от поля рассеяния рабочего слоя носителя записи при воспроизведении информации. Поэтому условия эксперимента можно считать в определенной степени приближенными: они отличаются от реальных условий, в которых происходит более сложный процесс магнитной стабилизации магниторезистивного элемента. Для наблюдения доменной структуры магниторезистивного и потоковедущих элементов применялся магнитооптический метод Керра.

Применение вычислительных средств

Возможность сочетания ЭВМ с существующими и вновь создаваемыми машинами и системами машин освобождает человека...

читать далее

Совершенствование тонкопленочной технологии в течение последних десятилетий позволило разместить все большее...

читать далее

Туннельно-резонансные диоды

К наноэлектронным приборам относятся туннельно-резонансные диоды. По структуре они напоминают своеобразный сэндвич...

читать далее