Предыдущая
Как показали экспериментальные исследования, магниторезистивные характеристики для неэкранированного, частично экранированного и полностью экранированного преобразователей с однослойными потоковедущими элементами являются достаточно плавными, что объясняется наличием сравнительно однородной магнитной структуры, близкой к однодоменной. Немалую роль в формировании такой структуры играет используемая для магнитной стабилизации схема обменного смещения. Для магниторезистивного преобразователя с фронтальным элементом получены более крутые магниторезистивные характеристики, чем для того же преобразователя без фронтального элемента. На характеристиках наблюдались небольшие зигзаги.
Близка к линейной магниторезистивная характеристика для магниторезистивного преобразователя с фронтальным и замыкающим потоковедущими элементами, наличие которых вызывает дополнительное магнитное смещение в поперечном направлении магниторезистивного элемента, что заметно проявляется в полностью экранированном магниторезистивном преобразователе. Наличие только одного - фронтального - потоковедущего элемента дает в зависимости от его ширины увеличение уровня смещения на 10-20%. А введение и замыкающего длинного элемента обеспечивает такое увеличение до 30%. Уменьшение анизотропии формы магниторезистивного элемента при его сопряжении с потоковедущими элементами способствует также магнитному смещению.
В неэкранированном магниторезистивном преобразователе с потоковедущими элементами магнитный поток концентрируется в магниторезистивном элементе, что и предопределяет довольно высокий уровень сигнала воспроизведения. Однако в области сопряжения магниторезистивного элемента с потоковедущими элементами наблюдается неоднородная магнитная структура, которая вызывает дополнительный шум.
Уровень сигнала воспроизведения магниторезистивных преобразователей при введении экранов заметно падает, что можно объяснить утечкой магнитного потока на экранирующие элементы с магниторезистивного и потоковедущих элементов.
При наличии только фронтального потоковедущего элемента магниторезистивная характеристика хотя и плавная для неэкранированных и частично экранированных преобразователей, но для них характерен сравнительно высокий уровень шума, который все же в меньшей степени проявляется в экранированных магниторезистивных преобразователях без потоковедущих элементов.
Близка к линейной магниторезистивная характеристика для магниторезистивного преобразователя с фронтальным и замыкающим потоковедущими элементами, наличие которых вызывает дополнительное магнитное смещение в поперечном направлении магниторезистивного элемента, что заметно проявляется в полностью экранированном магниторезистивном преобразователе. Наличие только одного - фронтального - потоковедущего элемента дает в зависимости от его ширины увеличение уровня смещения на 10-20%. А введение и замыкающего длинного элемента обеспечивает такое увеличение до 30%. Уменьшение анизотропии формы магниторезистивного элемента при его сопряжении с потоковедущими элементами способствует также магнитному смещению.
В неэкранированном магниторезистивном преобразователе с потоковедущими элементами магнитный поток концентрируется в магниторезистивном элементе, что и предопределяет довольно высокий уровень сигнала воспроизведения. Однако в области сопряжения магниторезистивного элемента с потоковедущими элементами наблюдается неоднородная магнитная структура, которая вызывает дополнительный шум.
Уровень сигнала воспроизведения магниторезистивных преобразователей при введении экранов заметно падает, что можно объяснить утечкой магнитного потока на экранирующие элементы с магниторезистивного и потоковедущих элементов.
При наличии только фронтального потоковедущего элемента магниторезистивная характеристика хотя и плавная для неэкранированных и частично экранированных преобразователей, но для них характерен сравнительно высокий уровень шума, который все же в меньшей степени проявляется в экранированных магниторезистивных преобразователях без потоковедущих элементов.
