• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Магниторезистивные характеристики для экранированных преобразователей

Как показали экспериментальные исследования, магниторезистивные характеристики для неэкранированного, частично экранированного и полностью экранированного преобразователей с однослойными потоковедущими элементами являются достаточно плавными, что объясняется наличием сравнительно однородной магнитной структуры, близкой к однодоменной. Немалую роль в формировании такой структуры играет используемая для магнитной стабилизации схема обменного смещения. Для магниторезистивного преобразователя с фронтальным элементом получены более крутые магниторезистивные характеристики, чем для того же преобразователя без фронтального элемента. На характеристиках наблюдались небольшие зигзаги.

Близка к линейной магниторезистивная характеристика для магниторезистивного преобразователя с фронтальным и замыкающим потоковедущими элементами, наличие которых вызывает дополнительное магнитное смещение в поперечном направлении магниторезистивного элемента, что заметно проявляется в полностью экранированном магниторезистивном преобразователе. Наличие только одного - фронтального - потоковедущего элемента дает в зависимости от его ширины увеличение уровня смещения на 10-20%. А введение и замыкающего длинного элемента обеспечивает такое увеличение до 30%. Уменьшение анизотропии формы магниторезистивного элемента при его сопряжении с потоковедущими элементами способствует также магнитному смещению.

В неэкранированном магниторезистивном преобразователе с потоковедущими элементами магнитный поток концентрируется в магниторезистивном элементе, что и предопределяет довольно высокий уровень сигнала воспроизведения. Однако в области сопряжения магниторезистивного элемента с потоковедущими элементами наблюдается неоднородная магнитная структура, которая вызывает дополнительный шум.

Уровень сигнала воспроизведения магниторезистивных преобразователей при введении экранов заметно падает, что можно объяснить утечкой магнитного потока на экранирующие элементы с магниторезистивного и потоковедущих элементов.

При наличии только фронтального потоковедущего элемента магниторезистивная характеристика хотя и плавная для неэкранированных и частично экранированных преобразователей, но для них характерен сравнительно высокий уровень шума, который все же в меньшей степени проявляется в экранированных магниторезистивных преобразователях без потоковедущих элементов.

Век информации

Одна из важнейших проблем наступившего века - информационное обеспечение общества. Накопление и потребление информации...

читать далее

Нейронные сети

С начала 80-х годов XX в. прогресс вычислительной техники многие исследователи связывают с созданием искусственных...

читать далее

Тенденция к усложнению интегральных схем

Многие годы в производстве интегральных схем ведущей была технология МОП-транзисторных схем. Для специальных применений...

читать далее