• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Магниторезистивные характеристики для экранированных преобразователей

Как показали экспериментальные исследования, магниторезистивные характеристики для неэкранированного, частично экранированного и полностью экранированного преобразователей с однослойными потоковедущими элементами являются достаточно плавными, что объясняется наличием сравнительно однородной магнитной структуры, близкой к однодоменной. Немалую роль в формировании такой структуры играет используемая для магнитной стабилизации схема обменного смещения. Для магниторезистивного преобразователя с фронтальным элементом получены более крутые магниторезистивные характеристики, чем для того же преобразователя без фронтального элемента. На характеристиках наблюдались небольшие зигзаги.

Близка к линейной магниторезистивная характеристика для магниторезистивного преобразователя с фронтальным и замыкающим потоковедущими элементами, наличие которых вызывает дополнительное магнитное смещение в поперечном направлении магниторезистивного элемента, что заметно проявляется в полностью экранированном магниторезистивном преобразователе. Наличие только одного - фронтального - потоковедущего элемента дает в зависимости от его ширины увеличение уровня смещения на 10-20%. А введение и замыкающего длинного элемента обеспечивает такое увеличение до 30%. Уменьшение анизотропии формы магниторезистивного элемента при его сопряжении с потоковедущими элементами способствует также магнитному смещению.

В неэкранированном магниторезистивном преобразователе с потоковедущими элементами магнитный поток концентрируется в магниторезистивном элементе, что и предопределяет довольно высокий уровень сигнала воспроизведения. Однако в области сопряжения магниторезистивного элемента с потоковедущими элементами наблюдается неоднородная магнитная структура, которая вызывает дополнительный шум.

Уровень сигнала воспроизведения магниторезистивных преобразователей при введении экранов заметно падает, что можно объяснить утечкой магнитного потока на экранирующие элементы с магниторезистивного и потоковедущих элементов.

При наличии только фронтального потоковедущего элемента магниторезистивная характеристика хотя и плавная для неэкранированных и частично экранированных преобразователей, но для них характерен сравнительно высокий уровень шума, который все же в меньшей степени проявляется в экранированных магниторезистивных преобразователях без потоковедущих элементов.

Унификация информационных технологий

Удовлетворение возрастающих потребностей общества при неуклонном росте народонаселения земного шара требует...

читать далее

Изучая свойства кристаллического детектора, наш соотечественник, выдающийся радиофизик О.В. Лосев (1903-1942), обнаружил на вольт-амперной...

читать далее

Создание слоев на интегральных микросхемах

Для формирования барьерных слоев все чаще используют тонкие пленки нитрида титана. Однако современная технология...

читать далее