• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Доменная структура тонкопленочных элементов

В потоковедущих элементах неэкранированного и частично экранированного преобразователей наблюдается доменная структура с замыкающими доменами (рис. 6.3, а). Предполагается, что доменная структура потоковедущих элементов изменяется незначительно при введении магнитных экранов.

При сравнении характеристик разных модификаций магниторезистивных преобразователей сделан вывод: магниторезистивный элемент активнее реагирует на шум, возбуждаемый в фронтальном потоковедущем элементе, так как через него замыкается основная часть полезного магнитного потока.



Рис. 6.3. Доменная структура тонкопленочных фронтальных (а); вытянутых прямоугольных замыкающих (б) и многослойных замыкающих элементов (в):
1 - магниторезистивный элемент; 2-фронтальный потоковедущий элемент;
3 - замыкающий потоковедущий элемент

Магниторезистивный преобразователь только с одним потоковедущим, фронтальным, элементом характеризуется относительно небольшим уровнем шума. С введением замыкающего потоковедущего элемента шум заметно повышается для всех экранированных и неэкранированных модификаций. В замыкающих элементах, имеющих форму вытянутого прямоугольника, наблюдается доменная структура (см. рис. 6.3, б) с вытянутыми продольными и замыкающими поперечными доменами. Намагничивание таких элементов включает сложные процессы, представляющие различные комбинации вращения вектора намагниченности и смещения доменных границ.

Во всех модификациях экранированных преобразователей магниторезистивный элемент прежде всего восприимчив к изменениям магнитной структуры фронтального потоковедущего элемента, являющегося таким образом основным источником шума.

Сравнительно плавная магниторезистивная характеристика с относительно большим линейным участком наблюдается в магниторезистивном преобразователе с многослойным фронтальным потоковедущим элементом даже при небольшой ширине дорожки, составляющей около 2 мкм. Результаты исследования доменной структуры фронтального элемента показывают, что, несмотря на большую анизотропию формы, обусловливающую сильное размагничивающее поле, верхний слой данного элемента имеет довольно близкую к однодоменной магнитную структуру. Наблюдающийся преимущественно для экранированного преобразователя сравнительно небольшой шум можно объяснить необратимыми процессами, связанными с движением доменных границ в краевых зонах многослойного потоковедущего элемента.

Наличие замыкающего многослойного потоковедущего элемента приводит к небольшому повышению уровня шума, порождаемого краевыми доменами. Однако магниторезистивная характеристика преобразователя с многослойным элементом заметно лучше, чем с однослойным. Магнитооптические наблюдения показали, что в верхнем слое замыкающего элемента обнаруживается характерная полосовая доменная структура со взаимно противоположной ориентацией намагниченности в смежных доменах, причем ширина домена в области, сопряженной с магниторезистивным элементом, значительно больше ширины доменов в области, удаленной от магниторезистивного элемента (см. рис. 6.3, в). При этом направление намагниченности во всех доменах совпадает с продольным направлением магниторезистивного элемента.

Чувствительность экранированного магниторезистивного преобразователя с потоковедущими элементами не уступает чувствительности аналогичного преобразователя без них. При увеличении толщины фронтального потоковедущего элемента примерно от 2 до 8 мкм наблюдается приблизительно линейное возрастание уровня сигнала воспроизведения. Эффективность воспроизведения магниторезистивного преобразователя с фронтальным потоковедущим элементом составляет около 40%. Введение замыкающего потоковедущего элемента увеличивает эффективность примерно на 20%.

Таким образом, характеристики воспроизведения магниторезистивного преобразователя с потоковедущими элементами зависят не только от магнитных, магниторезистивных и других свойств самого чувствительного - магниторезистивного - элемента, но и от магнитной структуры потоковедущих элементов.

Компьютерная сеть

Возможности персонального компьютера существенно расширяются за счет использования компьютерных сетей...

читать далее

Перспективные технологии

До недавнего времени микроэлектронная технология основывалась на удалении лишнего материала из заготовки подобно тому...

читать далее

Транзистор в виде атомного реле

Весьма интересна идея создания своеобразного транзистора в виде атомного реле, основанная на том, что минимальными...

читать далее