• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Стабилизация сигнала воспроизведения

Стабилизация сигнала воспроизведения
Одним из источников нестабильности сигнала воспроизведения является неоднородность магнитной структуры магниторезистивного элемента, которая порождает шум Баркхаузена. Изменение магнитной доменной структуры влияет на магниторезистивную характеристику. В экранированных головках с шириной магниторезистивного элемента более 200 мкм обеспечивается однородность магнитной структуры, если магнитострикция, поле анизотропии и коэрцитивная сила магниторезистивного элемента достаточно малы. Стабильность сигнала воспроизведения косвенно зависит от состояния доменной структуры и магнитомягкого элемента для магнитного смещения.

Для дисковых накопителей и других устройств, в которых производится запись на дорожке шириной не более 70 мкм, любая нестабильность доменной структуры нежелательна и должна исключаться, так как почти все всплески шума Баркхаузена сравнимы с амплитудой полезного сигнала. Изменение доменной структуры, вызванное магнитным полем записи либо магнитными полями других источников, сопряжены с трансформацией функции преобразования, заключающейся в изменении амплитуды, фазы, поперечного относительно дорожки профиля сигнала воспроизведения, а также в искажении его распределения. Поэтому весьма важны стабилизирующие схемы, благодаря которым удается достичь близкое к однодоменному состояние магниторезистивного элемента. В одной из таких схем для магнитной стабилизации наряду с поперечным смещением используется продольное смещение, основное назначение которого - линеаризация магниторезистивной характеристики. Продольное смещение можно реализовать двумя способами: с помощью смежного антиферромагнитного элемента либо тонкопленочного элемента в виде постоянного магнита. Магниторезистивный пермаллоевый элемент часто сочетается с железомарганцевым антиферромагнитным элементом. При обменном взаимодействии достигается стабильность магнитных свойств всего магниторезистивного элемента, хотя повышение чувствительности при таком взаимодействии в основном зависит от активной области магниторезистивного элемента. При наличии магнитного элемента из магнитомягкого материала магнитное смещение может быть достаточно эффективным и без антиферромагнитного элемента, если неактивные зоны магниторезистивного элемента относительно малы.

Используемый для антиферромагнитного элемента железомарганцевый материал химически активен, и осажденный из него элемент требует защиты. Проблема защиты упрощается для магниторезистивного элемента с эллиптическим профилем, на краевые зоны которого наносится слой железомарганцевого материала. В конструкции магниторезистивной головки, показанной на рис. 6.1, б, такая проблема решается сравнительно просто.

Другая особенность железомарганцевого материала заключается в его температурных свойствах. При определенных условиях термообработки двухслойного элемента NiFe/FeMn можно улучшить температурную зависимость анизотропии обменного взаимодействия. Экспериментальные исследования магнитных и температурных свойств альтернативных материалов для элементов смещения показали, что ферромагнитный материал ТвСо обеспечивает сравнительно неплохое (лучшее, чем железомарганцевый феррит) обменное взаимодействие с пермаллоем и отличается относительно высокой термостабильностью.
Тонкопленочные элементы в виде постоянных магнитов также выполняют функцию стабилизации магнитных свойств магниторезистивного элемента, независимо от модификации экранированных и неэкранированных магниторезистивных головок. Такие элементы удобнее располагать в краевых зонах магниторезистивного элемента, где происходит магнитостатическое взаимодействие.

Создание надежной схемы магнитной стабилизации магниторезистивных элементов, сопряженных с элементами из магнитомягкого материала, в значительной степени усложняется из-за отсутствия контроля магнитных свойств как в процессе формирования элементов, так и при воздействии на них магнитного поля рассеяния рабочего слоя носителя информации. Магнитные свойства, кроме того, зависят от магнитострикции, которую трудно контролировать при осаждении не только пермаллоевых пленок, но и пленок других составов.

Унификация информационных технологий

Удовлетворение возрастающих потребностей общества при неуклонном росте народонаселения земного шара требует...

читать далее

Изучая свойства кристаллического детектора, наш соотечественник, выдающийся радиофизик О.В. Лосев (1903-1942), обнаружил на вольт-амперной...

читать далее

Создание слоев на интегральных микросхемах

Для формирования барьерных слоев все чаще используют тонкие пленки нитрида титана. Однако современная технология...

читать далее