• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Локальные магниторезистивные характеристики

С повышением плотности записи информации возрастают требования к однородности микроструктуры магниторезистивных элементов. Размер рабочих элементов магниторезистивных преобразователей последних модификаций составляет менее 10 мкм. А при таком сравнительно небольшом размере магниторезистивного элемента начинают проявляться необратимые процессы, связанные с движением доменных границ. В результате повышается уровень шума, для снижения которого используются различные способы установления магнитного состояния, близкого к однодоменному. В этой связи для определения оптимальных условий намагничивания и перемагничивания магниторезистивных элементов необходимо исследовать их магнитное состояние и магниторезистивные свойства в локальной области.

Для исследования локальных магниторезистивных свойств использовалось специальное сканирующее устройство, содержащее два заостренных наконечника, выполненных из медь-бериллевой проволоки диаметром 0,5 мкм. Перемещение и позиционирование наконечников осуществлялось с помощью пьезоэлектрического преобразователя. Снимаемое с наконечников напряжение подавалось на чувствительный вольтметр. Магниторезистивный элемент помещался в магнитное поле, создаваемое двумя парами катушек с током. Одна из катушек служила для генерации поля смещения напряженностью до 30 кА/м, а другая обеспечивала заданную напряженность магнитного поля для намагничивания и перемагничивания магниторезистивного элемента.

С помощью данного устройства получены локальные магниторезистивные характеристики для центральной области исследуемого элемента, а также для его краевой области, расположенной посередине контактных полос. Измерения производились во внешнем поле, ориентированном в поперечном направлении магниторезистивного элемента, и под небольшим углом к нему. Записывались кривые зависимости изменения электрического сопротивления магниторезистивного элемента от напряженности, угла ориентации и внешнего магнитного поля. Полученные кривые для разных областей отличались друг от друга. Для центральной области наблюдалось более резкое изменение электрического сопротивления. Ее магниторезистивная характеристика имеет сравнительно острые максимум и минимум, что не характерно для аналогичной характеристики краевой области. При наклонной ориентации магнитного поля и для центральной, и краевой области рассматриваемые кривые существенно деформированы. При этом кривые прямого и обратного намагничивания не совпадают, т.е. проявляется их гисте- резисный характер. Различный вид магниторезистивных характеристик свидетельствует о том, что в разных локальных областях магниторезистивного элемента происходят различные процессы намагничивания и перемагничивания.

При воспроизведении магниторезистивной головкой может появляться модуляция сигнала воспроизведения, обусловленная нагреванием при локальном взаимодействии магниторезистивного элемента с дефектами носителя либо мелкими частицами. В результате такого взаимодействия происходит сравнительное быстрое - в течение 50-100 нс - смещение сигнала воспроизведения, после которого наступает относительно медленный процесс релаксации, длящийся несколько микросекунд. Для ослабления подобного модуляционного эффекта необходимо корректировать воспроизводимый сигнал с помощью специального синхронизирующего устройства, включенного в цепь обратной связи усилителя.

Технологии и фундаментальные знания

Технология - совокупность методов обработки, изготовления, изменения состояния, свойств, формы сырья или полуфабрикатов...

читать далее

Начало развития твердотельной электроники

Толчком для развития твердотельной электроники послужили долгое время необъяснимые физические загадки, называемые...

читать далее

В последнее время широко используется силицидная технология, включающая операцию осаждения тонкого слоя титана...

читать далее