• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Локальные магниторезистивные характеристики

С повышением плотности записи информации возрастают требования к однородности микроструктуры магниторезистивных элементов. Размер рабочих элементов магниторезистивных преобразователей последних модификаций составляет менее 10 мкм. А при таком сравнительно небольшом размере магниторезистивного элемента начинают проявляться необратимые процессы, связанные с движением доменных границ. В результате повышается уровень шума, для снижения которого используются различные способы установления магнитного состояния, близкого к однодоменному. В этой связи для определения оптимальных условий намагничивания и перемагничивания магниторезистивных элементов необходимо исследовать их магнитное состояние и магниторезистивные свойства в локальной области.

Для исследования локальных магниторезистивных свойств использовалось специальное сканирующее устройство, содержащее два заостренных наконечника, выполненных из медь-бериллевой проволоки диаметром 0,5 мкм. Перемещение и позиционирование наконечников осуществлялось с помощью пьезоэлектрического преобразователя. Снимаемое с наконечников напряжение подавалось на чувствительный вольтметр. Магниторезистивный элемент помещался в магнитное поле, создаваемое двумя парами катушек с током. Одна из катушек служила для генерации поля смещения напряженностью до 30 кА/м, а другая обеспечивала заданную напряженность магнитного поля для намагничивания и перемагничивания магниторезистивного элемента.

С помощью данного устройства получены локальные магниторезистивные характеристики для центральной области исследуемого элемента, а также для его краевой области, расположенной посередине контактных полос. Измерения производились во внешнем поле, ориентированном в поперечном направлении магниторезистивного элемента, и под небольшим углом к нему. Записывались кривые зависимости изменения электрического сопротивления магниторезистивного элемента от напряженности, угла ориентации и внешнего магнитного поля. Полученные кривые для разных областей отличались друг от друга. Для центральной области наблюдалось более резкое изменение электрического сопротивления. Ее магниторезистивная характеристика имеет сравнительно острые максимум и минимум, что не характерно для аналогичной характеристики краевой области. При наклонной ориентации магнитного поля и для центральной, и краевой области рассматриваемые кривые существенно деформированы. При этом кривые прямого и обратного намагничивания не совпадают, т.е. проявляется их гисте- резисный характер. Различный вид магниторезистивных характеристик свидетельствует о том, что в разных локальных областях магниторезистивного элемента происходят различные процессы намагничивания и перемагничивания.

При воспроизведении магниторезистивной головкой может появляться модуляция сигнала воспроизведения, обусловленная нагреванием при локальном взаимодействии магниторезистивного элемента с дефектами носителя либо мелкими частицами. В результате такого взаимодействия происходит сравнительное быстрое - в течение 50-100 нс - смещение сигнала воспроизведения, после которого наступает относительно медленный процесс релаксации, длящийся несколько микросекунд. Для ослабления подобного модуляционного эффекта необходимо корректировать воспроизводимый сигнал с помощью специального синхронизирующего устройства, включенного в цепь обратной связи усилителя.

Век информации

Одна из важнейших проблем наступившего века - информационное обеспечение общества. Накопление и потребление информации...

читать далее

Нейронные сети

С начала 80-х годов XX в. прогресс вычислительной техники многие исследователи связывают с созданием искусственных...

читать далее

Тенденция к усложнению интегральных схем

Многие годы в производстве интегральных схем ведущей была технология МОП-транзисторных схем. Для специальных применений...

читать далее