• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Эксперимент с чуствительностью магнитнорезистивной головки

Для экспериментального определения вариаций чувствительности магниторезистивной головки использовался электронный микроскоп с зондирующим заостренным зондом, поле рассеяния которого локализовано в относительно небольшой зоне. По своему действию на магниторезистивный элемент поле рассеяния зондирующего полюса подобно полю рассеяния перехода намагниченности в рабочем слое носителя информации. Различие заключается в их локализации. Зондирующий полюс изготавливался из аморфной CoFeSiB- нити диаметром 50 мкм.

С помощью сканирующего устройства зондирующий элемент перемещался в плоскости рабочей поверхности магниторезистивной головки, включающей магнитные экранирующие элементы, смещающий высокопроницаемый и чувствительный магниторезистивный элементы.
Зондированию подвергался исследуемый участок рабочей поверхности при задающем токе магниторезистивной головки, равном 10 мА. Для зондируемого участка получена картина двухмерного распределения чувствительности, на которой хорошо различимы зоны максимальной и минимальной чувствительности. Такая картина распределения чувствительности отличается от аналогичной картины, полученной при противоположном направлении задающего тока. Основное отличие заключается в степени локализации различных по чувствительности зон зондируемого участка. При обратном задающем токе получена относительно контрастная картина зондируемой поверхности, на которой можно различить выходящие на рабочую поверхность магниторезистивный и экранирующие элементы. Отличаются и сигналы воспроизведения для прямого и обратного направлений задающего тока. Для прямого направления амплитуда сигнала воспроизведения меньше, чем для обратного. Воспроизводимый импульс при обратном направлении задающего тока формируется с запаздыванием примерно на 0,1 мкс. Сигнал воспроизведения при прямом и обратном направлениях задающего тока представляет собой колоколообразный импульс заостренной формы.

Поколения ЭВМ

В развитии вычислительных средств различают несколько поколений, непосредственно связанных с открытиями...

читать далее

МОП- и МДП-структура

Разработка транзисторов открывала новые направления в полу проводниковой электронике. Одно из них связано с созданием...

читать далее

Схемы одноэлектронной памяти

Одну из идей создания прибора и его схемотехнического решения на базе нанотехнологий выдвинули российские ученые...

читать далее