• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Исследование ортогональной магниторезистивной головки

Исследование ортогональной магниторезистивной головки
Экспериментальное исследование характеристик ортогональной магниторезистивной головки проводилось на макете, включающем магниторезистивный элемент из пермаллоя с относительным маг- нетосопротивлением, равным 2%. Электрическое сопротивление элемента составляло 7 Ом. Магниторезистивный элемент располагался между двумя пермаллоевыми экранами толщиной 3 мкм. Напряжение сигнала воспроизведения во внешнем магнитном поле измерялось в продольном направлении магниторезистивного элемента, т.е. в направлении, перпендикулярном плоскости носителя. Для магниторезистивного элемента шириной 2 мкм и длиной 8 мкм при высоте нижней электропроводящей полоски 1,5 мкм и задающем токе 10 мА напряжение сигнала воспроизведения составляло около 20 мкВ. При уменьшении высоты электропроводящего элемента напряжение увеличивалось. Максимальное напряжение (примерно 5,6 мВ) достигнуто при полном насыщении магниторезистивного элемента в его продольном направлении.

Отношение напряжения сигнала воспроизведения к задающему току монотонно уменьшалось с возрастанием модуля напряженности магнитного поля. При этом такое отношение тем больше, чем меньше величина задающего тока. Так, для модуля напряженности, равного приблизительно 5,6 кА/м, рассматриваемое отношение максимально - около 80 мкВ/мА. Максимум отношения монотонно убывал от 90 до 20 мкВ/A с возрастанием задающего тока от 0,1 до 12 мА, а это значит, что динамическая область магниторезистивного элемента уменьшалась при увеличении задающего тока. Измерения показали, что напряжение сигнала воспроизведения элементов разной ширины примерно одинаково. Следовательно, магниторезистивные головки ортогональной конфигурации могут применяться в накопителях информации с высокой поперечной плотностью записи.

Технические характеристики магнитных накопителей зависят от надежности, качества и точности исполнения механических устройств, позволяющих установить с большой точностью преобразователь записи-воспроизведения в точке носителя с заданными координатами. Интегральное устройство, включающее магниторезистивный преобразователь, дает возможность повысить надежность и улучшить технические характеристики магнитного накопителя. Подобное устройство содержит миниатюрный гибкий элемент, на поверхности которого расположен магниторезистивный преобразователь, ползун и другие вспомогательные элементы.

Суперкомпьютеры

Высокопроизводительные вычислительные системы, суперЭВМ, принято считать форпостом компьютерной техники. Они в значительной...

читать далее

Интегральная схема

В современном представлении интегральная схема - конструктивно законченное изделие электронной техники, содержащее...

читать далее

Нанотранзистор

При достижении размера элементов около 100 нм произойдет смена доминирующей в настоящее время КМОП-технологии...

читать далее


Разработка макетов на заказ. Коллектив специалистов. Профессионально
rondo-s.ru