• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Исследование ортогональной магниторезистивной головки

Исследование ортогональной магниторезистивной головки
Экспериментальное исследование характеристик ортогональной магниторезистивной головки проводилось на макете, включающем магниторезистивный элемент из пермаллоя с относительным маг- нетосопротивлением, равным 2%. Электрическое сопротивление элемента составляло 7 Ом. Магниторезистивный элемент располагался между двумя пермаллоевыми экранами толщиной 3 мкм. Напряжение сигнала воспроизведения во внешнем магнитном поле измерялось в продольном направлении магниторезистивного элемента, т.е. в направлении, перпендикулярном плоскости носителя. Для магниторезистивного элемента шириной 2 мкм и длиной 8 мкм при высоте нижней электропроводящей полоски 1,5 мкм и задающем токе 10 мА напряжение сигнала воспроизведения составляло около 20 мкВ. При уменьшении высоты электропроводящего элемента напряжение увеличивалось. Максимальное напряжение (примерно 5,6 мВ) достигнуто при полном насыщении магниторезистивного элемента в его продольном направлении.

Отношение напряжения сигнала воспроизведения к задающему току монотонно уменьшалось с возрастанием модуля напряженности магнитного поля. При этом такое отношение тем больше, чем меньше величина задающего тока. Так, для модуля напряженности, равного приблизительно 5,6 кА/м, рассматриваемое отношение максимально - около 80 мкВ/мА. Максимум отношения монотонно убывал от 90 до 20 мкВ/A с возрастанием задающего тока от 0,1 до 12 мА, а это значит, что динамическая область магниторезистивного элемента уменьшалась при увеличении задающего тока. Измерения показали, что напряжение сигнала воспроизведения элементов разной ширины примерно одинаково. Следовательно, магниторезистивные головки ортогональной конфигурации могут применяться в накопителях информации с высокой поперечной плотностью записи.

Технические характеристики магнитных накопителей зависят от надежности, качества и точности исполнения механических устройств, позволяющих установить с большой точностью преобразователь записи-воспроизведения в точке носителя с заданными координатами. Интегральное устройство, включающее магниторезистивный преобразователь, дает возможность повысить надежность и улучшить технические характеристики магнитного накопителя. Подобное устройство содержит миниатюрный гибкий элемент, на поверхности которого расположен магниторезистивный преобразователь, ползун и другие вспомогательные элементы.

Компьютерная сеть

Возможности персонального компьютера существенно расширяются за счет использования компьютерных сетей...

читать далее

Перспективные технологии

До недавнего времени микроэлектронная технология основывалась на удалении лишнего материала из заготовки подобно тому...

читать далее

Транзистор в виде атомного реле

Весьма интересна идея создания своеобразного транзистора в виде атомного реле, основанная на том, что минимальными...

читать далее