• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Модификации магниторезистивных преобразователей

Модификации магниторезистивных преобразователей
При разработке различных модификаций магниторезистивных преобразователей для тонкопленочных магнитных накопителей большое внимание уделяется структуре чувствительного элемента, от которой во многом зависят характеристики воспроизведения информации, записанной с высокой плотностью.

Многие модификации магниторезистивных преобразователей, нашедшие практическое применение, имеют трехслойную структуру, которая формируется последовательным напылением на подложку слоя магнитомягкого материала, промежуточного танталового слоя и чувствительного магниторезистивного слоя. Торцовые поверхности этих слоев с обеих сторон сопрягаются с дополнительным слоем магнитотвердого материала, образующим два постоянных магнита, поле рассеяния которых осуществляет продольное смещение магниторезистивного элемента. Смещающие магнитные элементы осаждаются после стравливания всех трех слоев: магниторезистивного, промежуточного и магнитомягкого. Между тремя слоями и двумя элементами постоянного магнита образуется переходная зона, в которой торцовые поверхности всех трех слоев, граничащие с элементами постоянных магнитов, можно представить в виде наклонных плоскостей. При этом в поперечном сечении образуется плоскость в виде правильной трапеции, основание которой лежит на поверхности подложки, ее верхняя сторона совпадает с верхней плоскостью магниторезистивного элемента, а две наклонные стороны расположены в плоскостях торцевых поверхностей.

Результаты микромагнитного моделирования показывают, что при небольших углах наклона боковых сторон трапеции (ширина переходных зон при этом сравнительно велика) проявляется гистерезисный характер магниторезистивной зависимости, в центральной части которой появляются нелинейные искажения. С возрастанием угла наклона примерно до 30 0 гистерезис практически исчезает и магниторезистивная характеристика приближается к линейной.

Поколения ЭВМ

В развитии вычислительных средств различают несколько поколений, непосредственно связанных с открытиями...

читать далее

МОП- и МДП-структура

Разработка транзисторов открывала новые направления в полу проводниковой электронике. Одно из них связано с созданием...

читать далее

Схемы одноэлектронной памяти

Одну из идей создания прибора и его схемотехнического решения на базе нанотехнологий выдвинули российские ученые...

читать далее