• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Магниторезистивный преобразователь с электростатической точки зрения

Магниторезистивный преобразователь с электростатической точки зрения
С помощью методов конформного отображения разработан квазианалитический способ определения магнитостатической и магниторезистивной характеристик чувствительных элементов различных конфигураций при наличии смещающего в поперечном направлении элемента, а также оценки распределения намагниченности в поперечном направлении магниторезистивного неэкранированного элемента. В результате установлено, что по мере возрастания напряженности магнитного поля смещения относительное магнето- сопротивление элемента монотонно уменьшается.

Любой магниторезистивный преобразователь с электростатической точки зрения можно представить в виде тонкопленочного резистора, состоящего из электропроводящих и диэлектрических слоев. Эквивалентная электрическая схема магниторезистивного преобразователя содержит активные и реактивные сопротивления, емкостные элементы и разрядные промежутки, через которые при определенном уровне электростатического потенциала протекает ток, вызывающий разрушающее действие магниторезистивного преобразователя. Активным сопротивлением обладают магниторезистивный элемент и подводящие к нему задающий ток токопроводящие полосы. Реактивные сопротивления носят преимущественно емкостной характер.

Унификация информационных технологий

Удовлетворение возрастающих потребностей общества при неуклонном росте народонаселения земного шара требует...

читать далее

Изучая свойства кристаллического детектора, наш соотечественник, выдающийся радиофизик О.В. Лосев (1903-1942), обнаружил на вольт-амперной...

читать далее

Создание слоев на интегральных микросхемах

Для формирования барьерных слоев все чаще используют тонкие пленки нитрида титана. Однако современная технология...

читать далее