• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Исследования электростатических свойств магниторезистивного преобразователя

Для исследования электростатических свойств неэкранированного магниторезистивного преобразователя выбрана простейшая модель электрической цепи с тремя выходами, два из которых связаны с токопроводящими полосами, а третий - с электропроводящей подложкой. В такой модели тонкопленочный резистор выполнялся из ниобиевой полосы длиной 25 мкм, шириной 3-5 мкм и толщиной 25 нм. Между полосой и электропроводящей подложкой из Al2O3-TiC наносился диэлектрический корундовый слой толщиной 3,5 мкм.

Полученные экспериментальные данные и оценочные расчеты, основанные на классических принципах, позволили сделать вывод: при разности потенциалов около 650 В может возникнуть электрический пробой между токопроводящей полосой и подложкой, а энергии рассеяния, равной примерно 60 нДж, вполне достаточно для разрушения тонкопленочного резистора. Следует отметить, что приведенные результаты с определенной степенью приближения характеризуют простейший по структуре однослойный магниторезистивный преобразователь. Современные же магниторезистивные преобразователи включают довольно много электропроводящих и диэлектрических элементов с различным взаимным расположением, что, естественно, усложняет анализ электростатических характеристик их электрических цепей.

Память человека и память ЭВМ

Память - несомненно, один из важнейших атрибутов человека. Развитый, утонченный и вместе с тем изощренный аппарат...

читать далее

Для формирования элементов шириной менее 0,12 мкм предпочтительна проекционная ионно-пучковая литография...

читать далее

Использование фотонного кристалла для создания компьютера

Практической основой, на которой в будущем, по-видимому, будут реализованы все компоненты фотонного компьютера...

читать далее