• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Исследования электростатических свойств магниторезистивного преобразователя

Для исследования электростатических свойств неэкранированного магниторезистивного преобразователя выбрана простейшая модель электрической цепи с тремя выходами, два из которых связаны с токопроводящими полосами, а третий - с электропроводящей подложкой. В такой модели тонкопленочный резистор выполнялся из ниобиевой полосы длиной 25 мкм, шириной 3-5 мкм и толщиной 25 нм. Между полосой и электропроводящей подложкой из Al2O3-TiC наносился диэлектрический корундовый слой толщиной 3,5 мкм.

Полученные экспериментальные данные и оценочные расчеты, основанные на классических принципах, позволили сделать вывод: при разности потенциалов около 650 В может возникнуть электрический пробой между токопроводящей полосой и подложкой, а энергии рассеяния, равной примерно 60 нДж, вполне достаточно для разрушения тонкопленочного резистора. Следует отметить, что приведенные результаты с определенной степенью приближения характеризуют простейший по структуре однослойный магниторезистивный преобразователь. Современные же магниторезистивные преобразователи включают довольно много электропроводящих и диэлектрических элементов с различным взаимным расположением, что, естественно, усложняет анализ электростатических характеристик их электрических цепей.

Мультимедийная среда

В 90-е годы XX в. на базе персональных компьютеров созданы мультимедийные системы. Мультимедиа - это объединение нескольких...

читать далее

Понятие литографии

Современная технология интегральных схем включает следующие операции. Вначале верхний слой кремниевой пластины...

читать далее

Попытки создания квантового компьютера

Основные проблемы создания квантового компьютера вытекают из его природы: чтобы решить какую-либо задачу, необходимо...

читать далее