• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Исследования электростатических свойств магниторезистивного преобразователя

Для исследования электростатических свойств неэкранированного магниторезистивного преобразователя выбрана простейшая модель электрической цепи с тремя выходами, два из которых связаны с токопроводящими полосами, а третий - с электропроводящей подложкой. В такой модели тонкопленочный резистор выполнялся из ниобиевой полосы длиной 25 мкм, шириной 3-5 мкм и толщиной 25 нм. Между полосой и электропроводящей подложкой из Al2O3-TiC наносился диэлектрический корундовый слой толщиной 3,5 мкм.

Полученные экспериментальные данные и оценочные расчеты, основанные на классических принципах, позволили сделать вывод: при разности потенциалов около 650 В может возникнуть электрический пробой между токопроводящей полосой и подложкой, а энергии рассеяния, равной примерно 60 нДж, вполне достаточно для разрушения тонкопленочного резистора. Следует отметить, что приведенные результаты с определенной степенью приближения характеризуют простейший по структуре однослойный магниторезистивный преобразователь. Современные же магниторезистивные преобразователи включают довольно много электропроводящих и диэлектрических элементов с различным взаимным расположением, что, естественно, усложняет анализ электростатических характеристик их электрических цепей.

Унификация информационных технологий

Удовлетворение возрастающих потребностей общества при неуклонном росте народонаселения земного шара требует...

читать далее

Изучая свойства кристаллического детектора, наш соотечественник, выдающийся радиофизик О.В. Лосев (1903-1942), обнаружил на вольт-амперной...

читать далее

Создание слоев на интегральных микросхемах

Для формирования барьерных слоев все чаще используют тонкие пленки нитрида титана. Однако современная технология...

читать далее